[发明专利]基板处理装置的水平调节装置有效
申请号: | 201811554175.1 | 申请日: | 2016-03-15 |
公开(公告)号: | CN109637953B | 公开(公告)日: | 2023-03-14 |
发明(设计)人: | 尹炳浩;张琼镐;盧熙成;崔落句;全商熙 | 申请(专利权)人: | TES股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 杨贝贝;臧建明 |
地址: | 韩国京畿道龙仁市处*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 水平 调节 | ||
本发明涉及一种基板处理装置的水平调节装置。本发明的基板处理装置的水平调节装置是具备在腔室的下方且对与安装基板的晶座连接的支撑板的水平进行调节的装置,所述基板处理装置的水平调节装置的特征在于具备:第一调节单元,其使所述支撑板上下移动特定距离;及第二调节单元,其防止所述支撑板因所述腔室内部的负压而向上方移动,所述第一调节单元及第二调节单元中的任一者包含弹簧构件。本发明的水平调节装置及利用其的水平调节方法可非常准确且简便地调节支撑板的水平。
本发明是2016年3月15日所提出的申请号为201610146209.8、发明名称为《基板处理装置的水平调节装置及利用其的水平调节方法》的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种基板处理装置的水平调节装置。
背景技术
在半导体晶片等基板(以下,称为“基板”)上形成薄膜的情况下,在内部形成有特定空间的腔室内部具备供所述基板安装的晶座,在所述腔室的上方具备供给各种制程气体和/或吹扫气体的气体供给部而在所述基板蒸镀薄膜。
图12表示具有以往构造的水平调节装置的薄膜蒸镀装置10。参照图12,在腔室12的内部具备气体供给部14及安装基板W的晶座16,从所述晶座16朝向下方延伸的延伸部18连接到下方的升降板20。在此情况下,所述升降板20以可沿支撑杆30上下移动的方式具备。例如,以如下方式具备:在所述支撑杆30的下方具备马达32,所述升降板20可通过根据所述马达32的驱动而驱动的滚珠螺杆(未图示)等沿所述支撑杆30上下移动。
所述支撑杆30固定到连接在所述腔室12的下方的支撑板40。此处,所述支撑板40以可水平调节的方式具备在所述腔室12的下方。即,可具备:固定连接部50,其将所述支撑板40与所述腔室12连接固定;及至少一个升降连接部60,其可实现所述支撑板40的微小的升降调节。所述升降连接部60可包含:紧固杆62,其从所述腔室12朝向下方延伸;及一个以上的螺母64,其紧固在所述紧固杆62。因此,在以往的构造中,通过拧紧旋松所述螺母64而使所述支撑板40的一侧微小地升降,由此执行所述支撑板40的水平调节。
然而,在如上所述的构造中,所述基板W的上表面与所述气体供给部14之间的距离会对蒸镀到所述基板W的表面的薄膜的品质产生非常大的影响。即,如果支撑所述基板W的晶座16未保持水平而所述基板W的上表面与所述气体供给部14之间的距离变得不均匀,则无法使蒸镀到所述基板W的表面的薄膜的厚度固定而所述薄膜的品质明显下降。
为了解决此种问题点,如上所述,在以往的构成中,在对所述晶座16连接的所述支撑板40的水平进行调节的情况下,作业人员手动地旋转所述螺母64,由此调节所述支撑板40的水平。然而,此种方法是手动地进行动作,因此存在因作业人员的熟练度及作业技术而水平调节程度不同的问题点。另外,所述以往的方法是由作业人员直接手动地进行调节,因此存在难以实现微小调节,进而水平调节准确度非常低的问题点。
发明内容
[发明欲解决的课题]
为了解决如上所述的问题点,本发明的目的在于提供一种可非常准确且简便地调节所述支撑板的水平的水平调节装置。
进而,本发明的目的在于提供一种在调节所述支撑板的水平的情况下,可非常精密地实现微小调节的水平调节装置。
[解决课题的手段]
如上所述的本发明的目的由基板处理装置的水平调节装置达成,其是具备在腔室的下方且对与安装基板的晶座连接的支撑板的水平进行调节的装置,所述基板处理装置的水平调节装置具备:第一调节单元,其使所述支撑板上下移动特定距离;及第二调节单元,其防止所述支撑板因所述腔室的内部的负压而向上方移动。
此处,所述第一调节单元及第二调节单元中的至少一个可具备:凸轮构件,其对所述支撑板施加垂直方向的力;及驱动部,其具备旋转轴,所述旋转轴以与所述凸轮构件的旋转中心隔开特定距离的方式与所述凸轮构件连接而使所述凸轮构件旋转。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造