[发明专利]一种改善多晶RIE黑硅电池边缘发白石墨舟饱和工艺

说明书

本发明涉及一种改善多晶RIE黑硅电池边缘发白石墨舟饱和工艺，干法黑硅电池片镀膜时要求石墨舟的饱和性低于常规电池片镀膜所使用的石墨舟，无需对反应离子刻蚀工艺和PECVD镀膜工艺进行更改，只需通过调试石墨舟饱和工艺的温度，镀膜步的时间、气体流量及射频辉光功率来降低石墨舟的饱和性，且此饱和工艺时间与原饱和工艺比时间大大缩短，气体流量也相对减少，这均可提高产能降低生产成本，增加黑硅电池片边缘石墨舟舟片吸收氮化硅能力，解决干法黑硅电池片边缘发白。

技术领域

本发明属于太阳能多晶电池片领域，具体涉及一种改善多晶RIE黑硅电池边缘发白石墨舟饱和工艺。

背景技术

黑硅太阳能电池由于其卓越的减反射性能而广泛受关注，制备黑硅太阳能电池的方法也随之发展，其中包括反应离子刻蚀、等离子体浸没离子注入刻蚀、金属纳米粒子催化刻蚀及激光刻蚀，目前反应离子刻蚀(干法黑硅，RIE)和金属纳米粒子催化刻蚀(湿法黑硅，MCCE)是量产黑硅的主要制备方法，且反应离子刻蚀匹配钝化工艺可使电池片的转换效率提高0.6-0.7％，较高的转换效率可提高多晶市场的竞争力，但反应离子刻蚀在反应过程中容易造成电池片边缘过刻，致使PECVD工序镀膜后边缘颜色变白，组件后存在边缘色差。

太阳能电池对人们而言已不再陌生，提高太阳能转换效率是人们一直追求的目标，在众多提高太阳能电池转换效率的手段中，多晶黑硅技术应运而生，其中反应离子刻蚀匹配钝化工艺可使电池片的转换效率提高0.6-0.7％，同时制备出黑硅电池片的外观也至关重要，反应离子刻蚀工艺导致电池片边缘过刻，制备出电池片边缘偏白，目前改善这一现象可以通过改善反应离子刻蚀和PECVD镀膜等工序，反应离子刻蚀的改善主要通过改善载板的间距、材质、反应条件等多种因素，但是改造过程复杂且效果不明显。黑硅电池片边缘发白主要是边缘绒面偏大，氮化硅膜厚，所以减少边缘膜厚是解决此问题的关键，通过减低石墨舟的饱和性，增加电池片边缘处石墨舟吸收氮化硅能力，可解决此问题，同时可降低石墨舟的饱和时间，增加产能，减少气体用量，降低生产成本。

发明内容

本发明的目的在于为了解决现有干法黑硅电池片边缘发白的缺陷而提供一种增加黑硅电池片边缘石墨舟舟片吸收氮化硅能力，解决干法黑硅电池片边缘发白的可改善多晶RIE黑硅电池边缘发白石墨舟饱和工艺

为了实现上述目的，本发明采用以下技术方案：

一种改善多晶RIE黑硅电池边缘发白石墨舟饱和工艺，所述工艺包括以下步骤：

(1)进舟步，将酸溶液洗后的石墨舟，进行烘干，烘干后送入管式PECVD炉管内进行石墨舟饱和工艺；

(2)炉门关闭后，将炉口至炉尾的温度升高，压力维持在0-500mTorr；

(3)预清洗步时间为100-200s，保持步骤(2)的温度，通入氮气，炉管内压力控制在1000-2000mTorr；

(4)抽真空步时间维持20-60s，保持步骤(2)的温度，压力抽到0mTorr；

(5)检漏步时间维持10-40s，压力恢复至10000mTorr，同时升温，以确保炉管的密封性；

(6)抽真空步时间维持20-60s，保持步骤(5)的温度，压力抽至0mTorr；

(7)预镀膜时间维持在50-200s，保持步骤(5)的温度，通入氨气，压力控制在1000-2000mTorr；

(8)镀膜时间为0-9000s，保持步骤(5)的温度，通入硅烷，氨气，压力控制在1000-2000mTorr；

(9)抽真空步，时间维持在20-80s，降温，压力抽至0mTorr；

(10)清洗步时间20-80s，保持步骤(9)的温度，通入氮气，压力控制在0mTorr；