[发明专利]一种改善多晶RIE黑硅电池边缘发白石墨舟饱和工艺有效
| 申请号： | 201811551463.1 | 申请日： | 2018-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN109742195B | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 赵颖;历文斌;郑正明 | 申请（专利权）人： | 横店集团东磁股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/20 | 分类号： | H01L31/20;H01L21/67 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人： | 尉伟敏 |
| 地址： | 322118 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 多晶 rie 电池 边缘 发白 石墨 饱和 工艺 | ||
1.一种改善多晶RIE黑硅电池边缘发白石墨舟饱和工艺，其特征在于，所述工艺包括以下步骤：
（1）进舟步，将酸溶液洗后的石墨舟，进行烘干，烘干后送入管式PECVD炉管内进行石墨舟饱和工艺；
（2）炉门关闭后，将炉口至炉尾的温度升高至400-500℃，压力维持在0-500mTorr；
（3）预清洗步时间为100-200s，保持步骤（2）的温度，通入氮气，炉管内压力控制在1000-2000mTorr；氮气通入2000-8000sccm，射频辉光的射频功率为2000-4000W，占空比为3:36；
（4）抽真空步时间维持20-60s，保持步骤（2）的温度，压力抽到0mTorr；
（5）检漏步时间维持10-40s，压力恢复至10000mTorr，同时升温，温度从400-500℃升至450-550℃，以确保炉管的密封性；
（6）抽真空步时间维持20-60s，保持步骤（5）的温度，压力抽至0mTorr；
（7）预镀膜时间维持在50-200s，保持步骤（5）的温度，通入氨气，压力控制在1000-2000mTorr；氮气通入4000-8000sccm，射频辉光的射频功率为2000-4000W，占空比为3:30；
（8）镀膜时间为0-9000s，保持步骤（5）的温度，通入硅烷，氨气，压力控制在1000-2000mTorr；通入硅烷300-900sccm，氮气4000-8000sccm，射频辉光的射频功率为2000-4000W，占空比为3:30；
（9）抽真空步，时间维持在20-80s，降温，温度从450-550℃降至350-500℃，压力抽至0mTorr；
（10）清洗步时间20-80s，保持步骤（9）的温度，通入氮气，压力控制在0mTorr；通入氮气5000-10000sccm；
（11）充氮回压步，时间维持在60-120s，保持步骤（9）的温度，通入氮气，压力回复至10000mTorr；通入氮气2000-6000sccm；
（12）出舟步，时间为160-200s，保持步骤（9）的温度，通入氮气，压力为10000mTorr。
2.根据权利要求1所述的一种改善多晶RIE黑硅电池边缘发白石墨舟饱和工艺，其特征在于，步骤（2）中，升温时间为100-1500s。
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