[发明专利]负斜率隔离结构

说明书

本发明实施例提供了一种半导体结构及其形成方法。在半导体衬底上形成负斜率隔离结构，以使器件彼此隔离。负斜率隔离结构的顶部临界尺寸小于底部临界尺寸。负斜率隔离结构可以穿透绝缘体上硅结构布置的绝缘层。本发明实施例涉及负斜率隔离结构。

技术领域

本发明实施例涉及负斜率隔离结构。

背景技术

由于各个电组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的持续改进，半导体工业已经经历了快速增长。在大多数情况下，这种集成密度的改进来自于最小部件尺寸的连续减小，这使得更多的组件集成到给定的区域。随着近来对更小的电子器件的需求增长，对半导体管芯的更小和更具创造性的封装技术的需求也已增长。

随着半导体技术密度的增加，电子组件之间不期望的串扰风险也增加。因此，越来越需要更具创造性的方法来避免相邻期间的噪声耦合以保持隔离，同时允许制造更小的器件。

发明内容

根据本发明的一些实施例，提供了一种形成半导体结构的方法，包括：图案化衬底的半导体层上方的掩模；通过所述掩模蚀刻沟槽，其中，所述沟槽具有顶部开口和底部，所述顶部开口具有第一宽度，所述底部具有第二宽度，其中，所述第二宽度大于所述第一宽度；以及在所述沟槽中沉积绝缘材料，其中，所述绝缘材料从所述第一宽度扩展至所述第二宽度。

根据本发明的另一些实施例，还提供了一种形成半导体结构的方法，包括：在半导体衬底中蚀刻第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽通过所述半导体衬底的第一器件区与所述第二沟槽分隔开；以及在所述第一沟槽和所述第二沟槽中沉积绝缘材料，以分别形成第一隔离结构和第二隔离结构，其中，所述第一隔离结构的第一侧壁与所述第一隔离结构的顶面之间的角度大于90度。

根据本发明的另一些实施例，还提供了一种半导体结构，包括：半导体材料层；第一隔离结构，嵌入在所述半导体材料层内；第二隔离结构，嵌入在所述半导体材料层内，其中，所述第一隔离结构和所述第二隔离结构的每个均具有顶部宽度和底部宽度，其中，所述底部宽度大于所述顶部宽度；以及器件区域，设置在所述第一隔离结构和所述第二隔离结构之间，其中，所述器件区域具有形成在其中的器件。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1至图7示出了根据一些实施例的半导体器件的制造的中间步骤的截面图。

图8至图16示出了根据一些实施例的半导体器件的制造的中间步骤的截面图。

图17至图18示出了根据一些实施例的处于中间形成阶段的器件。

图19至图20示出了根据一些实施例的处于中间形成阶段的器件。

图21至图22示出了根据一些实施例的处于中间形成阶段的器件。

图23示出了根据一些实施例的图17、图19和图21的器件的局部自上而下视图。

图24示出了根据一些实施例的使用负斜率隔离结构的晶体管器件的局部截面图。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本发明。例如，以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本发明可在各个实施例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。