[发明专利]一种光电探测器及其制造方法有效
申请号: | 201811541869.1 | 申请日: | 2018-12-17 |
公开(公告)号: | CN109686756B | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 李世彬;陈皓;顾一丁;张婷;王峰 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L27/28 | 分类号: | H01L27/28 |
代理公司: | 成都其高专利代理事务所(特殊普通合伙) 51244 | 代理人: | 廖曾;贺立中 |
地址: | 610000 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光电 探测器 及其 制造 方法 | ||
本发明实例公开了一种光电探测器及其制造方法,该系统的原理:将有机聚合物与钙钛矿巧妙的结合,将光电探测与LED创新性的集成,系统受到不同波段光照射时,光电探测层将其吸收并产生电子空穴对,空穴注入到钙钛矿量子点发光层驱使其发光。由于不同波段的光被吸收产生的空穴数量不同,被激发的钙钛矿量子点不同,因此发光的波段也不同。此方法所提出的光电探测与显示集成系统,具有小体积的优势,对日后光电探测与显示的集成有重要的推广与实际意义。
技术领域
本发明涉及光电探测领域,尤其是涉及一种能够探测紫外-可见-近红外的光电探测器及其制造方法。
背景技术
随着光电技术的发展,光电探测器和光电成像已经成为工业、生物医疗传感以及军事和民用领域必不可少的工具。近年来,由于有机-无机杂化钙钛矿材料由于其直接带隙、高的载流子迁移率、大的载流子扩散长度和高的吸收系数而具有优异的光电性质,其在光伏、光电探测、LED发光等领域受到了广泛的关注。
常用的钙钛矿材料包括有机-无机杂化的ABX3(A=MA、FA、Cs,B=Pb、Sn,X=Cl、Br、I),基于该类材料光电探测性能优异,但其波段通常无法覆盖较宽的范围,尤其是近红外的波段难以被钙钛矿材料有效吸收并探测。
发明内容
本发明的一个实施例中,提供了一种制造光电探测器的方法,其特征在于,包括:获取ITO衬底;用丙酮、乙醇和去离子水超声清洗ITO衬底,清洗完成后,在干燥箱中干燥;将PEDOT水溶液以4000rpm的转速旋涂于ITO衬底上,并在140℃下退火20分钟,从而在所述ITO衬底上形成PEDOT层;将MAI、PbI2和PbCl2溶解在体积比为2:1的无水DMF与DMSO混合溶液中,获得MAPbIXCl3-X钙钛矿溶液;将能够吸收近红外波段的有机聚合物溶解于体积比为2:1的无水DMF与DMSO混合溶液中,获得有机聚合物溶液;将所述MAPbIXCl3-X钙钛矿溶液和所述有机聚合物溶液以体积比1:2混合,并搅拌一小时,获得第一混合溶液;将所述第一混合溶液以4000rpm的转速旋涂至所述PEDOT层上,并进行退火处理,形成复合薄膜;将能够发出多种不同颜色光的钙钛矿量子点溶解于己烷或辛烷中,旋涂于所述复合薄膜上,并进行退火处理,形成LED发光层;在所述LED发光层上通过热蒸发沉积形成TPBi层;在所述TPBi层上通过热蒸发沉积形成LiF/Al层。
一个实施例中,用丙酮、乙醇和去离子水分别超声清洗所述ITO衬底15分钟。
一个实施例中,所述复合薄膜能够吸收紫外-可见-近红外波段中不同波段的光,并且所述复合薄膜吸收不同波段的光产生不同的空穴。
一个实施例中,所述LED发光层被不同的空穴激发时发出不同颜色的光。
一个实施例中,所述复合薄膜能够吸收不同波段的光产生不同的空穴,产生的该不同的空穴注入所述LED发光层,激发所述LED发光层中的不同量子点,使所述LED发光层发出不同颜色的光。
一个实施例中,所述LED发光层包括蓝光钙钛矿量子点、红光钙钛矿量子点和绿光钙钛矿量子点。
一个实施例中,当所述复合薄膜吸收紫外光时,所述复合薄膜产生能够激发蓝光钙钛矿量子点的空穴注入所述LED发光层中激发所述LED发光层中的所述蓝光钙钛矿量子点,使得所述LED发光层发出蓝光。
一个实施例中,当所述复合薄膜吸收可见光时,所述复合薄膜产生能够激发蓝光钙钛矿量子点、红光钙钛矿量子点和绿光钙钛矿量子点的空穴注入所述LED发光层中同时激发所述蓝光钙钛矿量子点、所述红光钙钛矿量子点和所述绿光钙钛矿量子点,使得所述LED发光层发出白光。
一个实施例中,当所述复合薄膜吸收可见光时,所述复合薄膜产生能够激发红光钙钛矿量子点的空穴注入所述LED发光层中激发所述LED发光层中的所述红光钙钛矿量子点,使得所述LED发光层发出红光。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的