[发明专利]一种存储器在审

专利信息
申请号: 201811533043.0 申请日: 2018-12-14
公开(公告)号: CN111324290A 公开(公告)日: 2020-06-23
发明(设计)人: 刘凯 申请(专利权)人: 北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 孟金喆
地址: 100083 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 存储器
【说明书】:

发明实施例公开了一种存储器,该存储器包括:存储模块,存储模块包括多个数据块和至少一个备份块,数据块包括多个低有效位页和多个高有效位页,一个高有效位页对应一个低有效位页;控制模块,控制模块与存储模块电连接,用于在当前写命令的数据写入第一高有效位页时,检测到与第一高有效位页对应的第一低有效位页的写命令与当前写命令不同,将第一低有效位页的数据备份到备份块中。本发明实施例提供的存储器,解决了现有技术中msb page掉电造成的lsb page数据丢失的问题,有效预防掉电,保护了用户的数据,提高了存储器的安全性和稳定性。

技术领域

本发明实施例涉及存储器技术,尤其涉及一种存储器。

背景技术

eMMC(Embedded Multi Media Card,嵌入式多媒体)芯片是主要针对手机或平板电脑等产品的内嵌式存储器。eMMC芯片中集成了一个控制器,该控制器可提供标准接口并管理闪存,如此可使得使用eMMC芯片的手机厂商就能专注于产品开发的其它部分,并缩短向市场推出产品的时间。

eMMC芯片主要由控制器和闪存颗粒组成,通过写操作将数据保存在闪存颗粒中,通过读操作从闪存颗粒中读取数据。目前市场主流的闪存为NAND flash,具有尺寸小,容量较大,改写速度快等优点,适用于大量数据的存储,在业界也得到了越来越广泛的应用。NAND flash根据存储模式可至少分为单层存储闪存SLC NAND flash和多层存储闪存MLCNAND flash,目前市场主流的闪存颗粒是MLC NAND flash。

MLC NAND flash的一条字线(wordline)上通常有两个页(page),分别为低有效位页lsb page和高有效位页msb page。对MLC NAND flash进行写操作时,通常会先写lsbpage,再写msb page,如果写msb page的时候MLC NAND flash发生掉电,可能会影响同一字线上的lsb page,造成存储在lsb page上的数据丢失。

发明内容

本发明实施例提供一种存储器,以解决掉电造成闪存数据丢失的问题。

本发明实施例提供了一种存储器,该存储器包括:

存储模块,所述存储模块包括多个数据块和至少一个备份块,所述数据块包括多个低有效位页和多个高有效位页,一个所述高有效位页对应一个所述低有效位页;

控制模块,所述控制模块与所述存储模块电连接,用于在当前写命令的数据写入第一高有效位页时,检测到与所述第一高有效位页对应的第一低有效位页的写命令与所述当前写命令不同,将所述第一低有效位页的数据备份到所述备份块中。

进一步的,所述备份块包括多个备份页和至少一个标记页,一个所述备份页用于存储一个所述第一低有效位页的备份数据,所述标记页用于记录所述第一低有效位页的物理地址和与其对应的所述第一低有效位页的备份数据所在备份页的物理地址。

进一步的,所述控制模块还包括逻辑地址映射表,所述逻辑地址映射表用于根据所述标记页的地址信息进行地址映射更新。

进一步的,所述控制模块还用于在上电后检测到上一次写命令中止执行时,读取所述上一次写命令所对应的所述数据块的低有效位页的数据,若至少一个所述低有效位页的数据有不可纠错误,则将查找出不可纠错误的所述低有效位页对应的备份页的物理地址更新到所述逻辑地址映射表中。

进一步的,所述控制模块还用于在上电后检测到上一次写命令中止执行时,读取所述上一次写命令中止时所写入的末位页对应的低有效位页的数据,若该低有效位页的数据存在不可纠错误,将该低有效位页对应的备份页的物理地址更新到所述逻辑地址映射表中。

进一步的,所述存储模块为与非闪存NAND flash。

进一步的,所述存储器为嵌入式多媒体eMMC芯片。

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