[发明专利]一种存储器在审
申请号: | 201811533043.0 | 申请日: | 2018-12-14 |
公开(公告)号: | CN111324290A | 公开(公告)日: | 2020-06-23 |
发明(设计)人: | 刘凯 | 申请(专利权)人: | 北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 100083 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 存储器 | ||
1.一种存储器,其特征在于,包括:
存储模块,所述存储模块包括多个数据块和至少一个备份块,所述数据块包括多个低有效位页和多个高有效位页,一个所述高有效位页对应一个所述低有效位页;
控制模块,所述控制模块与所述存储模块电连接,用于在当前写命令的数据写入第一高有效位页时,检测到与所述第一高有效位页对应的第一低有效位页的写命令与所述当前写命令不同,将所述第一低有效位页的数据备份到所述备份块中。
2.根据权利要求1所述的存储器,其特征在于,所述备份块包括多个备份页和至少一个标记页,一个所述备份页用于存储一个所述第一低有效位页的备份数据,所述标记页用于记录所述第一低有效位页的物理地址和与其对应的所述第一低有效位页的备份数据所在备份页的物理地址。
3.根据权利要求2所述的存储器,其特征在于,所述控制模块还包括逻辑地址映射表,所述逻辑地址映射表用于根据所述标记页的地址信息进行地址映射更新。
4.根据权利要求3所述的存储器,其特征在于,所述控制模块还用于在上电后检测到上一次写命令中止执行时,读取所述上一次写命令所对应的所述数据块的低有效位页的数据,若至少一个所述低有效位页的数据有不可纠错误,则将查找出不可纠错误的所述低有效位页对应的备份页的物理地址更新到所述逻辑地址映射表中。
5.根据权利要求3所述的存储器,其特征在于,所述控制模块还用于在上电后检测到上一次写命令中止执行时,读取所述上一次写命令中止时所写入的末位页对应的低有效位页的数据,若该低有效位页的数据存在不可纠错误,将该低有效位页对应的备份页的物理地址更新到所述逻辑地址映射表中。
6.根据权利要求1所述的存储器,其特征在于,所述存储模块为与非闪存NAND flash。
7.根据权利要求1所述的存储器,其特征在于,所述存储器为嵌入式多媒体eMMC芯片。
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