[发明专利]一种激光掺杂选择性发射结及其制作方法

权利要求书

1.一种激光掺杂选择性发射结的制作方法，其特征在于，包括：

对初步扩散发射结进行局部激光照射，以得到预处理发射结；

去除所述预处理发射结表面的掺杂源，以得到二次处理发射结；

利用预设质量分数的碱溶液，沿激光照射方向对所述二次处理发射结的表面进行腐蚀，腐蚀高度为预设高度，以得到激光掺杂选择性发射结。

2.如权利要求1所述的激光掺杂选择性发射结的制作方法，其特征在于，所述沿激光照射方向对所述二次处理发射结进行腐蚀包括：

沿激光照射方向对所述二次处理发射结的表面均匀地进行腐蚀。

3.如权利要求2所述的激光掺杂选择性发射结的制作方法，其特征在于，所述预设高度的取值范围为20nm-150nm，包括端点值。

4.如权利要求3所述的激光掺杂选择性发射结的制作方法，其特征在于，所述预设质量分数的取值范围为1‰-5％，包括端点值。

5.如权利要求4所述的激光掺杂选择性发射结的制作方法，其特征在于，所述碱溶液的温度取值范围为15℃-50℃，包括端点值。

6.如权利要求1至5任一项所述的激光掺杂选择性发射结的制作方法，其特征在于，所述沿激光照射方向对所述二次处理发射结的表面进行腐蚀时，腐蚀时间的取值范围为10s-5min，包括端点值。

7.如权利要求6所述的激光掺杂选择性发射结的制作方法，其特征在于，当所述掺杂源为磷硅玻璃时，所述去除所述预处理发射结表面的掺杂源，以得到二次处理发射结包括：

用氢氟酸溶液去除所述预处理发射结表面的磷硅玻璃，以得到二次处理发射结，所述氢氟酸溶液的质量分数取值范围为0.5％-5％，包括端点值。

8.如权利要求7所述的激光掺杂选择性发射结的制作方法，其特征在于，在所述利用预设质量分数的碱溶液，沿激光照射方向对所述二次处理发射结进行腐蚀，腐蚀高度为预设高度，以得到激光掺杂选择性发射结之后还包括：

在所述激光掺杂选择性发射结腐蚀后的表面形成预设厚度的氧化层。

9.如权利要求8所述的激光掺杂选择性发射结的制作方法，其特征在于，所述在所述激光掺杂选择性发射结腐蚀后的表面形成预设厚度的氧化层包括：

利用紫外光臭氧照射或者双氧水溶液，在所述激光掺杂选择性发射结腐蚀后的表面形成预设厚度的氧化层，其中，双氧水溶液的质量分数取值范围为5％-20％，包括端点值。

10.一种激光掺杂选择性发射结，其特征在于，包括如权利要求1至9任一项制作方法得到的激光掺杂选择性发射结。