[发明专利]一种基板及制备方法有效
申请号: | 201811510414.3 | 申请日: | 2018-12-11 |
公开(公告)号: | CN109656047B | 公开(公告)日: | 2020-08-04 |
发明(设计)人: | 张军 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1333 | 分类号: | G02F1/1333;G02F1/1335;G02F1/1339 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 制备 方法 | ||
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种基板及制备方法,所述基板包括有衬底基板、设置在所述衬底基板上的像素阵列单元框、设置在所述衬底基板上且自下而上依次设置的光学膜、彩色滤光片和氧化铟锡薄膜。还提供基板制备方法,在衬底基板上制备出像素阵列单元框,制备出一定厚度的SiOx或者SiOx和SiNx结构的光学膜,并在所述光学膜上制备出彩色滤光片和氧化铟锡薄膜以及主副支撑柱。本发明的基板能够提高光的透过率,减小显示器的发热,减小产品的功耗,节约成本。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种基板及制备方法。
背景技术
随着显示面板技术的不断发展,各种液晶显示器(Liquid Crystal Display,LED)也越来越多的融入生活之中,应用的领域也更加的广泛。
在传统的液晶显示器行业中,显示器的背光模组由基板、滤光片、偏光片等许多器件组成,在这些组成的器件中,由于薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)阵列会对光有一定的阻挡,偏光片和彩色滤光片也会吸收部分光线,使得光线的透过率变小,这些偏光片以及彩色滤光片减小了光线的透过率并且对光的吸收,使得由背光板发出的光有一部分在传输过程中就被损耗掉,统计发现,最终只有大约5%的光能透过显示器,普通的彩色滤光片(Color Filter,CF)基板对光的透过率较低,传统的单层掺锡氧化铟锡薄膜(IndiumTin Oxide,ITO)对光的透过率也较低,这样,就造成了极大的资源浪费,不利于产品功耗的降低以及使用成本的节约。
综上所述,现有的显示器中的偏光片及彩色滤光片会吸收大部分光线,使得光线的透过率减小,造成了光线大程度的损耗,进一步增大了产品的功耗,因此需要提出进一步完善和改进方案,设计一种高透光率的滤光片,以增大光线的透过率。
发明内容
本发明提供一基板及制备方法,以解决现有显示装置中背光模组内的CF基板等器件对光的透光率低,光线损耗大的问题。
为解决上述技术问题,本发明提供的技术方案如下:
根据本公开实施例的第一方面,提供了一种基板,包括:
衬底基板;
设置在所述衬底基板上的像素阵列单元框;
设置在所述衬底基板上且自下而上依次设置的光学膜、彩色滤光片和氧化铟锡薄膜。
根据本发明的一优选实施例,所述像素阵列单元框设置在所述光学膜和所述衬底基板之间。
根据本发明的一优选实施例,所述像素阵列单元框设置在所述氧化铟锡薄膜之上。
根据本发明的一优选实施例,所述像素阵列单元框与所述光学膜之间还设置有RGB色阻像素层。
根据本发明的一优选实施例,所述基板还包括支撑柱。
根据本发明的一优选实施例,所述支撑柱设置在所述氧化铟锡薄膜上。
根据本发明的一优选实施例,所述光学膜由SiNx和SiOx构成。
根据本发明的一优选实施例,所述光学膜为SiOx。
根据本发明的一优选实施例,所述光学膜为SiO2增透膜,所述SiO2增透膜的厚度为
根据本发明的第二方面,还提供一种基板制备方法,包括:
步骤S100,通过黑色矩阵工艺制程,在衬底基板上制备出像素阵列单元框,
步骤S110,在步骤S100基础上制备出一定厚度的SiOx或者SiOx和SiNx结构的光学膜,并在所述光学膜上制备出彩色滤光片和氧化铟锡薄膜,
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