[发明专利]可编程逻辑器件的可编程逻辑结构可访问的扇区对齐存储器在审
| 申请号: | 201811508762.7 | 申请日: | 2018-12-11 |
| 公开(公告)号: | CN110033809A | 公开(公告)日: | 2019-07-19 |
| 发明(设计)人: | S·J·韦伯;S·R·阿特萨特;R·P·古塔拉;A·R·达苏 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
| 主分类号: | G11C16/10 | 分类号: | G11C16/10;G11C16/34;G11C5/06 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 张立达;王英 |
| 地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 扇区 对齐 可编程逻辑结构 存储器 可编程逻辑器件 集成电路管芯 直接访问 组数据 存储器集成电路 可编程逻辑 电路设计 快速处理 可访问 编程 存储 | ||
集成电路器件可以在第一集成电路管芯上包括可编程逻辑结构并且在第二集成电路管芯上包括扇区对齐存储器,以使得可编程逻辑器件的可编程逻辑的扇区能够快速处理大量数据。可编程逻辑结构可以包括第一和第二扇区。可以用对第一组数据进行操作的电路设计对第一扇区进行编程。扇区对齐存储器可以包括可由可编程逻辑结构的第一扇区直接访问的扇区对齐存储器的第一扇区和可由可编程逻辑结构的第二扇区直接访问的扇区对齐存储器的第二扇区。扇区对齐存储器的第一扇区可以存储第一组数据。
背景技术
本公开内容涉及使用可编程逻辑器件的可编程逻辑结构来访问扇区对齐存储器。
该部分旨在向读者介绍可以与以下描述和/或要求保护的、本公开内容的各个方面相关的技术的各个方面。相信该讨论有助于向读者提供背景信息以促进对本公开内容的各个方面的更好的理解。因此,可以理解,这些陈述将以这种方式理解,而不是作为对现有技术的承认。
可编程逻辑器件是可以被编程以执行各种各样的操作的一类集成电路。可编程逻辑器件可以包括可由被称为配置随机存取存储器(CRAM)的存储器形式编程的可编程逻辑元件。因此,为了将电路设计编程到可编程逻辑器件中,可以将电路设计编译成比特流并且编程到CRAM单元中。被编程到CRAM单元中的值定义了可编程逻辑器件的可编程逻辑元件的操作。
可编程逻辑器件的高度灵活性使它们非常适合于加速许多计算任务。因此,可编程逻辑器件越来越多地用作用于机器学习、视频处理、语音辨识、图像辨识以及许多其他高度专业化的任务(尤其是用处理器上运行的软件将太慢或效率太低的任务)的加速器。定义加速器功能的电路设计可以受益于对存储在存储器中的大量数据的访问。然而,访问外部存储器设备可能是相对慢的过程,并且因此一些可编程逻辑器件可以包括采用可编程逻辑结构可访问的本地存储器阵列形式的结构内存储器。
然而,结构内存储器的容量是受空间限制的,这是因为结构内存储器可以占用否则将包含用于可编程逻辑元件的配置存储器的管芯空间。因此,增加结构内存储器的量会减少可用的可编程逻辑元件的数量。作为结果,加速器设计者可能面临较快的操作时间及较低容量的结构内存储器与较慢操作时间及较高容量的外部存储器之间困境。
附图说明
在阅读以下详细描述并参考附图之后,可以更好地理解本公开内容的各个方面,在所述附图中:
图1是根据实施例的用电路设计来编程的可编程逻辑器件的框图;
图2是根据实施例的包括可编程逻辑器件的封装的框图,其中,结构管芯与基本管芯垂直堆叠。
图3是根据实施例的可编程逻辑器件的示例性逻辑布置的框图;
图4是根据实施例的示出可编程逻辑器件的结构管芯的框图,所述可编程逻辑器件包含可编程逻辑器件的可编程逻辑结构和基本管芯,所述基本管芯主要包含操作可编程逻辑结构的非结构电路;
图5是根据实施例的结构管芯的示例性拓扑的框图;
图6是根据实施例的基本管芯的示例性拓扑的框图;
图7是根据实施例的基本管芯的扇区对齐存储器的示意性框图,所述扇区对齐存储器可以支持对于结构芯片的对应扇区的快速配置和/或高速缓存;
图8是根据实施例的用于与基本管芯的扇区对齐存储器相接的结构管芯的存储器接口的框图;
图9是根据实施例的可以促进由可编程逻辑结构使用扇区控制器来对扇区对齐存储器的访问的电路的框图;
图10是根据实施例的可以促进由可编程逻辑结构使用用于流水线输送的扇区控制器和存储器管理器来对扇区对齐存储器访问的电路的框图;
图11是根据实施例的用于由可编程逻辑结构将数据从可编程逻辑结构传送到扇区对齐存储器的方法的流程图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司,未经英特尔公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811508762.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





