[发明专利]一种提高IGBT驱动器抗干扰性能的方法在审

专利信息
申请号: 201811507254.7 申请日: 2018-12-11
公开(公告)号: CN111313881A 公开(公告)日: 2020-06-19
发明(设计)人: 张良;燕翚;朱宁辉;王蓓蓓;武丹;詹雄;王轩;王宇红 申请(专利权)人: 中电普瑞科技有限公司;南瑞集团有限公司
主分类号: H03K17/567 分类号: H03K17/567;H03K17/16
代理公司: 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 代理人: 徐国文
地址: 102200 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 提高 igbt 驱动器 抗干扰 性能 方法
【权利要求书】:

1.一种提高IGBT驱动器抗干扰性能的方法,该方法包括以下步骤:

(1):在IGBT驱动器的栅极驱动输出电压管脚(VO管脚)和驱动器的去饱和电压输入管脚(DESAT管脚)之间设置一外置恒流源;

(2):在IGBT驱动器的去饱和电压输入管脚(DESAT管脚)和驱动器的输出电源电压管脚(VE管脚)之间设置一π型阻容吸收电路;

(3):在IGBT驱动器的去饱和电压输入管脚(DESAT管脚)和驱动器的输出电源电压管脚(VE管脚)之间设置一瞬态抑制二极管。

(4):当IGBT驱动器的FAULT管脚有故障信号输出并上报控制器时,控制器应紧急关闭其他正常工作的IGBT或保留部分IGBT的开通状态使装置电流顺利流过负载,避免电流突变,待驱动器FAULT脚故障消失后,使IGBT开关逻辑变成正常状态继续工作。

2.如权利要求1所述的一种提高IGBT驱动器抗干扰性能的方法,所述设置一外置恒流源的方法为:在输出电压管脚(VO管脚)的驱动电阻RG输出端和盲区电容CBLANK之间接入一个恒流源,恒流源的电流对盲区电容CBLANK充电;所述盲区电容CBLANK设置在去饱和电压输入管脚(DESAT管脚)和输出电源电压管脚(VE管脚)之间。

3.如权利要求1所述的一种提高IGBT驱动器抗干扰性能的方法,所述设置一π型阻容吸收电路的方法为在驱动器的去饱和电压输入管脚(DESAT管脚)的检测电阻R的一端连接盲区电容CBLANK,检测电阻R的一端连接另一个电容C1BLANK的一端,C1BLANK的另一端连接输出电源电压管脚(VE管脚),由C1BLANK、检测电阻和CBLANK构成π型阻容吸收电路。

4.如权利要求1所述的一种提高IGBT驱动器抗干扰性能的方法,所述设置一瞬态抑制二极管的方法为将瞬态抑制二极管的阳极连接输出电源电压管脚(VE管脚),瞬态抑制二极管的阴极与去饱和电压输入管脚(DESAT管脚)的检测电阻R和检测二极管DDESAT的连接点连接。

5.如权利要求1所述的一种提高IGBT驱动器抗干扰性能的方法,所述C1BLANK电容值为nF级。

6.如权利要求1-5任一项所述的一种提高IGBT驱动器抗干扰性能的方法,所述驱动器为FOD8332。

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