[发明专利]一种高纯超细均匀单斜二氧化锆(ZrO2)纳米晶体材料及其合成方法和应用在审
| 申请号： | 201811502910.4 | 申请日： | 2018-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN109704401A | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 张研 | 申请（专利权）人： | 长安大学 |
| 主分类号： | C01G25/02 | 分类号： | C01G25/02;B82Y30/00;B01J21/06;B01J32/00;B01J35/10;C07C5/27;C07C9/18 |
| 代理公司： | 西安佩腾特知识产权代理事务所(普通合伙) 61226 | 代理人： | 曹宇飞 |
| 地址： | 710064 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二氧化锆 纳米晶体材料 单斜 超细 水蒸汽 高纯 锆源 合成 八水氧氯化锆 密闭反应釜 高温焙烧 高温高压 水解反应 水热条件 有效控制 晶粒 掺杂物 前驱体 无定形 蒸发量 溶剂 水解 乙醇 水热 添加剂 应用 团聚 保证 | ||
【权利要求书】：
1.一种高纯超细均匀单斜二氧化锆(ZrO2)纳米晶体材料的合成方法，其特征在于包括以下步骤：
在密闭反应釜内，以八水氧氯化锆作为锆源溶于乙醇中，混匀，在温度为150～200℃的水热条件下，使水蒸汽与八水氧氯化锆接触发生水解，反应24～48小时后，冷却至室温，将所得固体产物经乙醇洗涤、离心分离、干燥，即得高纯超细均匀单斜二氧化锆(ZrO2)纳米晶体材料。
2.根据权利要求1所述的高纯超细均匀单斜二氧化锆(ZrO2)纳米晶体材料的合成方法，其特征在于，所述干燥条件为：60～80℃烘箱内干燥24～48h。
3.一种高纯超细均匀单斜二氧化锆(ZrO2)纳米晶体材料，其特征在于，由权利要求1或2所述的高纯超细均匀单斜二氧化锆(ZrO2)纳米晶体材料的合成方法所合成。
4.根据权利要求3所述的高纯超细均匀单斜二氧化锆(ZrO2)纳米晶体材料，其特征在于，所述高纯超细均匀单斜二氧化锆(ZrO2)纳米晶体材料是单斜相晶体，其平均晶粒尺寸为42.3nm，比表面积为120～153m2/g。
5.根据权利要求3所述的高纯超细均匀单斜二氧化锆(ZrO2)纳米晶体材料，其特征在于，所述高纯超细均匀单斜二氧化锆(ZrO2)纳米晶体材料的纯度为100％。
6.权利要求3所述的高纯超细均匀单斜二氧化锆(ZrO2)纳米晶体材料作为金属催化剂载体在正戊烷异构化反应中的应用。
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