[发明专利]组合传感器

说明书

本发明公开了一种组合传感器，组合传感器包括：基板，基板具有上表面和下表面；第一MEMS芯片和第一ASIC芯片，第一MEMS芯片和第一ASIC芯片安装至基板的上表面，第一MEMS芯片和第一ASIC芯片电连接，第一MEMS芯片为电容式结构；以及第二MEMS芯片和第二ASIC芯片，第二MEMS芯片和第二ASIC芯片安装至基板的上表面，第二MEMS芯片和第二ASIC芯片电连接，第二MEMS芯片的工作电压为交流电压；第一MEMS芯片和第二ASIC芯片的最短距离为d1，d1≥0.3mm，第一ASIC芯片和第二ASIC芯片的最短距离为d2，d2≥1.2mm。本发明技术方案减弱寄生电容效应，从而减小了电磁感应，使得组合传感器工作时，第一MEMS芯片的本底噪声大幅度下降，提升了组合传感器的整体性能。

技术领域

本发明涉及传感器技术领域，特别涉及一种组合传感器。

背景技术

两个MEMS芯片和两个ASIC芯片封装形成组合传感器，具体为第一MEMS芯片和第一ASIC芯片电连接，第二MEMS芯片和第二ASIC芯片电连接，第一MEMS芯片为电容式结构，第二MEMS芯片的工作电压为交流电压，由于封装空间较为紧凑，在组合传感器工作时，由于寄生电容效应的存在，第一MEMS芯片的本底噪声较大，从而影响了组合传感器的整体性能。

发明内容

本发明的主要目的是提出一种组合传感器，旨在提升组合传感器的性能。

为实现上述目的，本发明公开了一种组合传感器，所述组合传感器包括：

基板，所述基板具有上表面和下表面；

第一MEMS芯片和第一ASIC芯片，所述第一MEMS芯片和所述第一ASIC芯片安装至所述基板的上表面，所述第一MEMS芯片和所述第一ASIC芯片电连接，所述第一MEMS芯片为电容式结构；以及

第二MEMS芯片和第二ASIC芯片，所述第二MEMS芯片和所述第二ASIC芯片安装至所述基板的上表面，所述第二MEMS芯片和所述第二ASIC芯片电连接，所述第二MEMS芯片的工作电压为交流电压；

所述第一MEMS芯片和所述第二ASIC芯片的最短距离为d1，d1≥0.3mm，所述第一ASIC芯片和所述第二ASIC芯片的最短距离为d2，d2≥1.2mm。

在本发明的一实施例中，所述最短距离d1形成于所述第一MEMS芯片的侧面和所述第二ASIC芯片的侧面之间；

所述最短距离d2形成于所述第一ASIC芯片的侧面和所述第二ASIC芯片的侧面之间。

在本发明的一实施例中，所述第一MEMS芯片呈长方体，所述第一ASIC芯片呈长方体，所述第二ASIC芯片呈长方体；

所述最短距离d1形成于所述第一MEMS芯片的侧棱与所述第二ASIC芯片的侧棱之间；

所述最短距离d2形成于所述第一ASIC芯片的侧棱和所述第二ASIC芯片的侧棱之间。

在本发明的一实施例中，所述第一MEMS芯片与所述第二MEMS芯片的最短距离的连线为a，所述第一ASIC芯片和所述第二ASIC芯片的最短距离的连线为b，a与b相交。

在本发明的一实施例中，所述第一MEMS芯片和所述第二MEMS芯片并排设置。

在本发明的一实施例中，所述基板呈矩形，所述第一ASIC芯片和所述第二ASIC芯片分布在所述基板的对角方向上。

在本发明的一实施例中，所述第一MEMS芯片的体积小于所述第二MEMS芯片或第二ASIC芯片的体积；

和/或，所述第一MEMS芯片的工作电压为直流电压；

和/或，所述基板为电路板。