[发明专利]一种上电时序控制设备、系统及方法有效

专利信息
申请号: 201811472728.9 申请日: 2018-12-04
公开(公告)号: CN109617544B 公开(公告)日: 2023-06-13
发明(设计)人: 梁新宇;姚毅 申请(专利权)人: 凌云光技术股份有限公司
主分类号: H03K17/22 分类号: H03K17/22;H03K19/20
代理公司: 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 代理人: 逯长明;许伟群
地址: 100094 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 时序 控制 设备 系统 方法
【说明书】:

本申请公开一种新型上电时序控制设备、系统及方法,包括供电电源和使能控制模块;使能控制模块包括信号输入端及信号输出端;信号输入端和信号输出端之间设有第一可调电阻,电容,三极管,第二可调电阻和反相器;本申请提供的设备、系统及方法通过采用三极管提升信号电压,以及通过两种MOSFET晶体管组合而成的反相器达到降低能耗、稳定信号的作用,并且本申请的设备使得过低的控制电压仍可以驱动芯片的使能管脚,在多路电源上电时序控制方面能够不依赖于传统电源控制芯片并且满足精确上电次序的要求。此外,还简化了硬件电源上电时序控制的设计流程,从而提高工作效率。

技术领域

本申请涉及机器视觉成像设备研发技术领域,尤其涉及一种新型上电时序控制设备、系统及方法。

背景技术

硬件的外部电路设计中,电源时序设计是必不可少的环节。现有的电源时序设计,通常是通过电源时序控制芯片或者简单的电阻电容产生的RC延时。如果采用多种规格的芯片,需要额外增加芯片成本;而仅采用简单的电阻电容设计电路易导致时序控制过程中容易受到干扰并且无法精确地控制上电时序。

目前,现有技术中用于上电时序控制的设备,其电路设计本身较为复杂,首先会导致设备在工作过程中工作能耗高,降低系统工作效率,增加成本;另一方面,当上一级的控制电压过低时,现有设备可能导致无法驱动部分芯片的使能管脚,进而无法保证上电的连续性,导致系统稳定性较低。

发明内容

本申请提供一种新型上电时序控制设备、系统及方法,以解决现有技术中电路设计复杂、能耗高、稳定性差的问题,并且本申请利用三极管以及MOSFET的特性,将低压的控制信号转换为可被芯片使能管脚接受的控制信号,并且兼具了抗干扰和低功耗的优势。使得电源芯片能够不受控制信号电压和使能管脚限制,按照要求的上电时序,完成依次上电,或者任意上电时序的组合。

本申请提供了一种新型上电时序控制设备,包括供电电源和使能控制模块;其中,

所述使能控制模块包括信号输入端及信号输出端;所述信号输入端用于接收上一级控制信号或供电电压,所述信号输出端用于将使能控制信号或控制电压输出至下一级电源芯片的使能管脚;

所述信号输入端和所述信号输出端之间设有第一可调电阻,电容,三极管,第二可调电阻和反相器;其中,所述电容,所述第一可调电阻,所述三极管的栅极及所述三极管的发射极依次连接构成时序控制回路,所述电容的一端接地;所述时序控制回路用于控制上电时长;所述第二可调电阻,所述反相器及所述供电电源依次连接构成使能驱动回路,所述三极管的集电极与所述第二可调电阻的一端相连接;所述使能驱动回路用于生成使能控制信号或控制电压;

所述信号输入端与所述第一可调电阻的一端相连;所述反相器的输出端连接至所述信号输出端。

可选的,所述反相器包括并联连接的一个P型MOSFET晶体管和一个N型MOSFET晶体管;所述第二可调电阻的一端同时与所述P型MOSFET晶体管、所述N型MOSFET晶体管的栅极连接;所述P型MOSFET晶体管的漏极与所述N型MOSFET晶体管的源极共同连接至所述信号输出端。

可选的,所述三极管选用NPN型三极管,导通电压Vbe为0.5V~1V。

可选的,所述第一可调电阻的阻值为1kΩ~2kΩ;所述第二可调电阻的阻值为8kΩ~12kΩ;所述供电电源电压为5V。

可选的,所述信号输入端与所述信号输出端之间输出控制信号或电压。

本申请还提供了一种新型上电时序控制系统,包括多个本申请所述的新型上电时序控制设备;所有的所述新型上电时序控制设备串联连接;任意两个所述新型上电时序控制设备之间设有一个电源芯片;

所述新型上电时序控制设备用于接收上一级输出的控制信号或供电电压,并生成使能控制信号或控制电压输出至电源芯片的使能管脚;所述电源芯片用于根据使能控制信号或控制电压向下一级输出控制信号或供电电压。

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