[发明专利]一种上电时序控制设备、系统及方法有效
申请号: | 201811472728.9 | 申请日: | 2018-12-04 |
公开(公告)号: | CN109617544B | 公开(公告)日: | 2023-06-13 |
发明(设计)人: | 梁新宇;姚毅 | 申请(专利权)人: | 凌云光技术股份有限公司 |
主分类号: | H03K17/22 | 分类号: | H03K17/22;H03K19/20 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人: | 逯长明;许伟群 |
地址: | 100094 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 时序 控制 设备 系统 方法 | ||
1.一种上电时序控制设备,其特征在于,包括供电电源和使能控制模块;其中,
所述使能控制模块包括信号输入端及信号输出端;所述信号输入端用于接收上一级控制信号或供电电压,所述信号输出端用于将使能控制信号或控制电压输出至下一级电源芯片的使能管脚;
所述信号输入端和所述信号输出端之间设有第一可调电阻,电容,三极管,第二可调电阻和反相器;其中,所述电容,所述第一可调电阻,所述三极管的栅极及所述三极管的发射极依次连接构成时序控制回路,所述电容的一端接地;所述时序控制回路用于控制上电时长;所述第二可调电阻,所述反相器及所述供电电源依次连接构成使能驱动回路,所述三极管的集电极与所述第二可调电阻的一端相连接;所述使能驱动回路用于生成使能控制信号或控制电压;
所述信号输入端与所述第一可调电阻的一端相连;所述反相器的输出端连接至所述信号输出端;
所述反相器包括并联连接的一个P型MOSFET晶体管和一个N型MOSFET晶体管;所述第二可调电阻的一端同时与所述P型MOSFET晶体管、所述N型MOSFET晶体管的栅极连接;所述P型MOSFET晶体管的漏极与所述N型MOSFET晶体管的源极共同连接至所述信号输出端。
2.根据权利要求1所述的一种上电时序控制设备,其特征在于,所述三极管选用NPN型三极管,导通电压Vbe为0.5V~1V。
3.根据权利要求1所述的一种上电时序控制设备,其特征在于,所述第一可调电阻的阻值为1kΩ~2kΩ;所述第二可调电阻的阻值为8kΩ~12kΩ;所述供电电源电压为5V。
4.根据权利要求1所述的一种上电时序控制设备,其特征在于,所述信号输入端与所述信号输出端之间输出控制信号或电压。
5.一种上电时序控制系统,其特征在于,所述系统包括多个权利要求1所述的上电时序控制设备;所有的所述上电时序控制设备串联连接;任意两个所述上电时序控制设备之间设有一个电源芯片;
所述上电时序控制设备用于接收上一级输出的控制信号或供电电压,并生成使能控制信号或控制电压输出至电源芯片的使能管脚;所述电源芯片用于根据使能控制信号或控制电压向下一级输出控制信号或供电电压。
6.根据权利要求5所述的一种上电时序控制系统,其特征在于,所述电源芯片选用LDO芯片或DC-DC芯片。
7.一种上电时序控制方法,其特征在于,所述方法包括:
获取前一级电源或外部逻辑器件输出的控制信号或供电电压;
采用权利要求1的设备对控制信号或供电电压进行上电时序控制,输出使能控制信号或控制电压至电源芯片;
由电源芯片向下一级电源输出控制信号或供电电压。
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