[发明专利]IBC电池的制作方法

说明书

本发明提供了一种背结IBC电池的制作方法，包括：在基体的背面生长隧穿氧化层；形成第一掺杂层与第二掺杂层；所述第一掺杂层设于所述隧穿氧化层的与所述基体相背的一侧，所述第二掺杂层形成于所述基体的背面，且对位于贯穿所述隧穿氧化层的通槽；所述第一掺杂层上形成有第一背面钝化层，所述第二掺杂层上形成有第二背面钝化层；形成与所述第一掺杂层欧姆连接的第一金属电极，形成与所述第二掺杂层欧姆连接的第二金属电极。利用本发明所制作的IBC电池可具有更高的开路电压，进而可有利于实现较高的转换效率。

技术领域

本发明涉及太阳能领域，尤其涉及一种IBC电池的制作方法。

背景技术

近年来,环境污染已经严重威胁到了社会与经济的发展和每个人的生存。在全球性化石能源日益耗尽、环境污染不断加重的今天,太阳能将与其他新型能源一起成为石油、煤、天然气等不可再生能源的理想补充和替代能源。随着光伏产业的迅猛发展,太阳能电池转换效率不断提高,成本不断降低,使得光伏发电的前景更为光明和宽阔。

IBC电池，其中的IBC具体为Interdigitated back contact，可理解为一种背结电池，较常规太阳电池，IBC电池的工艺流程要相对复杂。IBC电池中，电池开路电压的高低取决于钝化效果的好坏，目前一般的IBC电池都是采用氮化硅和二氧化硅等薄膜进行表面钝化。这种钝化结构可以减小表面复合速率，对开路电压的提升有一定帮助。但是，难以获得更高的开路电压，限制了电池转换效率的提升。

发明内容

本发明提供一种IBC电池的制作方法，以解决采用氮化硅和二氧化硅等薄膜进行表面钝化难以获得更高的开路电压，限制了电池转换效率的提升的问题。

根据本发明的第一方面，提供了一种背结IBC电池的制作方法，包括：

在基体的背面生长隧穿氧化层；

形成第一掺杂层与第二掺杂层；所述第一掺杂层设于所述隧穿氧化层的与所述基体相背的一侧，所述第二掺杂层形成于所述基体的背面，且对位于贯穿所述隧穿氧化层的通槽；所述第一掺杂层上形成有第一背面钝化层，所述第二掺杂层上形成有第二背面钝化层；

形成与所述第一掺杂层欧姆连接的第一金属电极，形成与所述第二掺杂层欧姆连接的第二金属电极。

可选的，所述第一背面钝化层与所述第二背面钝化层分别包括至少一层氮化硅，或者包括层叠的至少一层氮化硅与至少一层二氧化硅。

可选的，所述隧穿氧化层为通过氧化炉生长的热氧化层，或者：所述隧穿氧化层为通过硝酸氧化生长的湿法氧化层。

可选的，若所述第一掺杂层为p型掺杂层，所述第二掺杂层为n型掺杂层；则所述形成第一掺杂层与第二掺杂层，包括：

在所述隧穿氧化层上形成第一掺杂后材料层，所述第一掺杂后材料层为p型掺杂多晶硅层或p型掺杂非晶硅层；

对所述第一掺杂后材料层与所述隧穿氧化层进行激光开槽，产生所述通槽，并形成所述n型掺杂层，所述第一掺杂后材料层中未开槽的至少部分区域形成有所述p型掺杂层。

可选的，所述在所述隧穿氧化层上形成第一掺杂后材料层，包括：

在所述隧穿氧化层上生长第一掺杂前材料层，所述第一掺杂前材料层为本征多晶硅层或者本征非晶硅层；

对所述第一掺杂前材料层进行硼掺杂，形成所述第一掺杂后材料层。

可选的，所述的方法，还包括：

在所述基体的正面形成前表面场；

在所述前表面场形成第一正面钝化层。

可选的，若所述第一掺杂层为n型掺杂层，所述第二掺杂层为p型掺杂层；则所述形成第一掺杂层与第二掺杂层，包括：