[发明专利]IBC电池的制作方法

权利要求书

1.一种背结IBC电池的制作方法，其特征在于，包括：

在基体的背面生长隧穿氧化层；

形成第一掺杂层与第二掺杂层；所述第一掺杂层设于所述隧穿氧化层的与所述基体相背的一侧，所述第二掺杂层形成于所述基体的背面，且对位于贯穿所述隧穿氧化层的通槽；所述第一掺杂层上形成有第一背面钝化层，所述第二掺杂层上形成有第二背面钝化层；

形成与所述第一掺杂层欧姆连接的第一金属电极，形成与所述第二掺杂层欧姆连接的第二金属电极。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一背面钝化层与所述第二背面钝化层分别包括至少一层氮化硅，或者包括层叠的至少一层氮化硅与至少一层二氧化硅。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述隧穿氧化层为通过氧化炉生长的热氧化层，或者：所述隧穿氧化层为通过硝酸氧化生长的湿法氧化层。

4.根据权利要求1至3任一项所述的方法，其特征在于，若所述第一掺杂层为p型掺杂层，所述第二掺杂层为n型掺杂层；则所述形成第一掺杂层与第二掺杂层，包括：

在所述隧穿氧化层上形成第一掺杂后材料层，所述第一掺杂后材料层为p型掺杂多晶硅层或p型掺杂非晶硅层；

对所述第一掺杂后材料层与所述隧穿氧化层进行激光开槽，产生所述通槽，并形成所述n型掺杂层，所述第一掺杂后材料层中未开槽的至少部分区域形成有所述p型掺杂层。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在所述隧穿氧化层上形成第一掺杂后材料层，包括：

在所述隧穿氧化层上生长第一掺杂前材料层，所述第一掺杂前材料层为本征多晶硅层或者本征非晶硅层；

对所述第一掺杂前材料层进行硼掺杂，形成所述第一掺杂后材料层。

6.根据权利要求1至3任一项所述的方法，其特征在于，还包括：

在所述基体的正面形成前表面场；

在所述前表面场形成第一正面钝化层。

7.根据权利要求1至3任一项所述的方法，其特征在于，若所述第一掺杂层为n型掺杂层，所述第二掺杂层为p型掺杂层；则所述形成第一掺杂层与第二掺杂层，包括：

在所述隧穿氧化层上形成第二掺杂后材料层，所述第二掺杂后材料层为n型掺杂多晶硅层或n型掺杂非晶硅层；

对所述第二掺杂后材料层与所述隧穿氧化层进行激光开槽，产生所述通槽，并形成所述p型掺杂层，所述第一掺杂后材料层中未开槽的至少部分区域形成有所述n型掺杂层。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在所述隧穿氧化层上形成第二掺杂后材料层，包括：

在所述隧穿氧化层上生长第二掺杂前材料层，所述第一掺杂前材料层为本征多晶硅层或者本征非晶硅层；

对所述第一掺杂前材料层进行磷掺杂，形成所述第二掺杂后材料层。

9.根据权利要求1至3任一项所述的方法，其特征在于，还包括：

在所述基体的正面形成表面浮动结；

在所述表面浮动结形成第二正面钝化层。

10.根据权利要求1至3任一项所述的方法，其特征在于，所述隧穿氧化层的厚度的取值范围为0.5-2纳米。