[发明专利]天线封装结构及封装方法在审

专利信息
申请号: 201811464600.8 申请日: 2018-12-03
公开(公告)号: CN111261528A 公开(公告)日: 2020-06-09
发明(设计)人: 陈彦亨;林正忠 申请(专利权)人: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;H01L23/00;H01L23/31;H01L23/522;H01L23/528;H01L23/58
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 余明伟
地址: 214437 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 天线 封装 结构 方法
【权利要求书】:

1.一种天线封装方法,其特征在于,包括以下步骤:

提供支撑基底,于所述支撑基底上形成分离层;

于所述分离层上形成重新布线层,所述重新布线层包括与所述分离层相接触的第一面及相对的第二面;

于所述重新布线层的第二面上形成第一金属连接柱,所述第一金属连接柱与所述重新布线层电连接;

采用第一封装层覆盖所述第一金属连接柱及所述重新布线层的第二面,且所述第一封装层的顶面显露所述第一金属连接柱;

于所述第一封装层表面形成第一天线金属层,所述第一天线金属层与所述第一金属连接柱电连接;所述第一天线金属层包括第一天线金属主体层;

于所述第一天线金属主体层上形成天线支撑盖,所述天线支撑盖包含天线支撑盖底部、自所述天线支撑盖底部向外延伸形成的包围所述天线支撑盖底部边缘的天线支撑盖侧壁及由所述天线支撑盖底部与所述天线支撑盖侧壁形成的天线支撑盖腔体;通过所述天线支撑盖腔体形成包覆所述第一天线金属主体层的空腔;

于所述第一天线金属层上形成第二金属连接柱,所述第二金属连接柱的顶面的水平面突出于所述空腔的顶面的水平面;

采用第二封装层覆盖所述第二金属连接柱及所述第一天线金属层,且所述第二封装层的顶面显露所述第二金属连接柱;所述第二封装层包覆所述天线支撑盖侧壁;

于所述第二封装层表面形成第二天线金属层,所述第二天线金属层与所述第二金属连接柱电连接;

去除所述分离层和所述支撑衬底;

于所述重新布线层的第一面上形成金属凸块;以及

提供半导体芯片,将所述半导体芯片结合于所述重新布线层的第一面上。

2.根据权利要求1所述的天线封装方法,其特征在于:所述重新布线层的第二面上包括N层天线结构,其中N≥3。

3.根据权利要求1所述的天线封装方法,其特征在于:所述第二天线金属层包括第二天线金属主体层,所述第二天线金属主体层位于所述天线支撑盖的上方。

4.根据权利要求1所述的天线封装方法,其特征在于:所述第二封装层的顶面显露所述天线支撑盖底部。

5.根据权利要求1所述的天线封装方法,其特征在于:所述第二封装层的顶面覆盖所述天线支撑盖底部。

6.根据权利要求1所述的天线封装方法,其特征在于:所述天线支撑盖包括玻璃天线支撑盖、半导体天线支撑盖、金属天线支撑盖、环氧树脂天线支撑盖及陶瓷天线支撑盖中的一种或组合。

7.根据权利要求1所述的天线封装方法,其特征在于:形成所述第一金属连接柱及第二金属连接柱的方法包括焊线、电镀及化学镀中的一种或组合。

8.根据权利要求1所述的天线封装方法,其特征在于:还包括于所述半导体芯片与所述重新布线层的第一面之间填充底部填充层的步骤,所述底部填充层包括环氧树脂层。

9.根据权利要求1所述的天线封装方法,其特征在于:所述支撑基底包括玻璃基底、金属基底、半导体基底、聚合物基底及陶瓷基底中的一种。

10.根据权利要求1所述的天线封装方法,其特征在于:所述重新布线层包括介质层及金属布线层,所述介质层的材料包括环氧树脂、硅胶、PI、PBO、BCB、氧化硅、磷硅玻璃及含氟玻璃中的一种或两种以上组合;所述金属布线层的材料包括铜、铝、镍、金、银及钛中的一种或两种以上组合。

11.根据权利要求1所述的天线封装方法,其特征在于:所述第一金属连接柱及第二金属连接柱包括金线、银线、铜线及铝线中的一种或组合;所述第一金属连接柱及第二金属连接柱还包括金柱、银柱、铜柱及铝柱中的一种或组合。

12.根据权利要求1所述的天线封装方法,其特征在于:所述第一封装层的材料包括聚酰亚胺、硅胶及环氧树脂中的一种或组合;所述第二封装层的材料包括聚酰亚胺、硅胶及环氧树脂中的一种或组合。

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