[发明专利]一种保证多晶硅片或类单晶硅片质量稳定性的方法

说明书

本发明公开一种保证多晶硅片或类单晶硅片质量稳定性的方法，其特征在于包括如下步骤：步骤一：测试晶砖一侧面少子寿命情况；步骤二：根据所述侧面少子寿命情况，将晶砖截断得到尾料、可切片晶砖、头料、杂质层；步骤三：测试头料下截断面的少子寿命情况；步骤四：根据头料下截断面少子寿命情况，把可切片晶砖划分为不同等级进行返截。本发明成本低，实施简便，能有效保证硅片的质量，提高生产效率。

技术领域

本发明涉及一种保证多晶硅片或类单晶硅片质量稳定性的方法，属于多晶硅铸锭或类单晶铸锭技术领域。

背景技术

晶体硅在当前的太阳能材料市场占据着绝对优势，从其晶体形态上来讲，可以划分为非晶硅、单晶硅、多晶硅三大类。非晶硅电池成本低，但转换效率也较低，且由于非晶硅的光致衰减效应，致使其性能稳定性较差；多晶硅电池生产成本较低，但其内部存在大量的晶界、高密度的位错和杂质，这些缺陷降低了硅片少数载流子寿命，导致其转换效率比单晶电池低；单晶硅电池中杂质与缺陷的含量低，转换效率高，但制备工艺复杂，对原料的纯度要求高，所以生产成本较高。

但是近两年以来，尤其是金刚线切片大规模应用以后，单晶硅电池成本大幅下降，电池端新兴的PERC、HIT、双面等技术在单晶电池上增益更大，多晶电池与单晶电池的效率差距逐渐拉大，多晶电池原有的成本优势被蚕食殆尽。

在多晶电池面临较大困难的前提下，如何保持多晶硅硅片质量的稳定性显得至关重要，目前，多晶硅铸锭企业只测晶砖侧面少子寿命情况，不能百分之百的保证晶砖截断面的少子寿命较好。因此多晶硅片厂经常收到电池片厂效率偏低或效率分布较宽等投诉。

类单晶是与单晶竞争的有力产品，但是类单晶电池效率分布比较宽，质量稳定性不好，对电池端造成较大压力。

发明内容

本发明的目的就在于克服现有技术的缺点，提出了一种保障多晶硅片或类单晶硅片质量稳定的办法，提高多晶硅片或类单晶硅片的产品竞争力。

本发明解决以上技术问题的技术方案是：

一种保证多晶硅片或类单晶硅片质量稳定性的方法，其特征在于包括如下步骤：

步骤一：测试晶砖一侧面少子寿命情况；

步骤二：根据所述侧面少子寿命情况，将晶砖截断得到尾料、可切片晶砖、头料、杂质层；

步骤三：测试头料下截断面的少子寿命情况；

步骤四：根据头料下截断面少子寿命情况，把可切片晶砖划分为不同等级：

1）截断面少子寿命较好，则可切片晶砖不需要返截，直接流转到下一个工序；

2）截断面少子寿命一般，则可切片晶砖返截10-20mm后再流转到下一工序；

3）截断面少子寿命较差，则可切片晶砖返截20-60mm后再流转到下一工序。

本发明的有益效果：

1、目前生产线上就是把晶砖截断成尾料、可切片晶砖、头料、杂质层四部分，本发明只需测头料下截断面少子图谱即可，没有增加截断成本。

2、晶砖杂质一般集中在晶砖的上部，其晶体缺陷较多，少子寿命较低，因此只需要测试可切片晶砖上截断面的少子寿命情况即可，但是可切片晶砖的长度太长，现有少子寿命测试仪（例如Semilab少子寿命测试仪）无法测试（只能在157mm左右高度进行少子寿命测试），头料下截断面与可切片晶砖上截断面是同一面，头料长度一般在20-80mm之间，因此本发明通过测试头料下截断面少子寿命，根据其少子图谱情况，返截掉可切片晶砖中质量较差部分，保证了多晶硅片质量的稳定性，可以减少电池片厂效率偏低或效率分布较宽等投诉。本发明不需要增加新的设备，只需要在现有少子寿命测试仪上增加一个简单的晶砖升降平台，把头料下截断面调整至测试仪的测试高度进行少子寿命测试，成本很低，实施简便。