[发明专利]发光二极管芯片在审
| 申请号： | 201811461350.2 | 申请日： | 2018-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN109545927A | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 洪越 | 申请（专利权）人： | 江苏卫航智昊通信科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 211400 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 接触层 发光二极管芯片 电性导通 金属接触 载流子 氮化物缓冲层 空穴 非掺杂GaN层 多量子阱层 递增 发光效率 工作电压 接触势垒 成核层 电阻率 渐变层 衬底 隧穿 半导体 掺杂 穿越 金属 | ||
1.一种发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管芯片从下向上依次包括：
衬底；
位于衬底上的成核层；
位于成核层上的氮化物缓冲层；
位于氮化物缓冲层上的非掺杂GaN层；
位于非掺杂GaN层上的N型GaN层；
位于N型GaN层上的多量子阱层；
位于多量子阱层上的P型AlGaN层；
位于P型AlGaN层上的P型GaN层；
位于P型GaN层上的P型InGaN接触层，所述P型InGaN接触层中In的摩尔浓度向着远离所述P型GaN层的方向递增；
位于P型InGaN接触层上且与P型InGaN接触层电性导通的P电极，位于N型GaN层上且与N型GaN层电性导通的N电极。
2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述P型InGaN接触层中In的摩尔浓度向着远离所述P型GaN层的方向线性递增。
3.根据权利要求1或2所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述P型InGaN接触层中Ga的摩尔浓度恒定且In和Ga的摩尔浓度比在0.6-2的区间内递增。
4.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述P型InGaN接触层为Mg掺杂。
5.根据权利要求4所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述P型InGaN接触层的Mg掺杂浓度为2～4×1E20atoms/cm3。
6.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述P型InGaN接触层的厚度为5-10nm。
7.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述氮化物缓冲层的厚度为0.5-1um。
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