[发明专利]像差校正系统、光刻机及像差校正方法在审

专利信息
申请号: 201811460127.6 申请日: 2018-11-30
公开(公告)号: CN109298605A 公开(公告)日: 2019-02-01
发明(设计)人: 李铭;童立峰;应广驰;赵彬 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 智云
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 球面 准直反射镜 像差校正模块 反射光栅 像差校正 光束垂直 射入 狭缝 像差 校正 聚焦反射镜 光束反射 光束通过 光源提供 光刻机 掩膜版 原有的 准直性 光路 减小 成像 反射 光源 申请 保证
【说明书】:

本申请提供的一种像差校正系统,包括:光源、狭缝、球面准直反射镜、反射光栅以及像差校正模块,所述光源提供的光束经过所述狭缝射入所述球面准直反射镜,所述球面准直反射镜可以保证所述光束的准直性。所述球面准直反射镜将光束垂直射入设置在在所述球面准直反射镜与反射光栅之间的像差校正模块上,所述反射光栅经过所述像差校正模块校正后的光束,以在不同的方向上反射所述光束,并将所述光束反射至一聚焦反射镜上。通过在所述球面准直反射镜与所述反射光栅之间设置像差校正模块,所述像差校正模块与所述反射光栅接收的光束垂直,以校正由所述球面准直反射镜产生的像差,可以在不改变光束原有的光路途径实现减小光束通过掩膜版成像的像差。

技术领域

本申请涉及光刻技术领域,具体地,涉及一种像差校正系统、光刻机及像差校正方法。

背景技术

光刻工艺是集成电路芯片制造的核心工艺。为降低经济和时间成本,光刻工艺的研发通常都是在特定一台光刻机上完成的,不同型号光刻机的光刻性能存在较大差异,即使相同型号的光刻机由于其硬件指标的微小差异,也可能会导致包括成像质量在内的光刻性能存在较大差异。光刻机为了扩大产能并提高芯片制造成品率,必须提高成像质量。

光刻机的成像系统是由一系列的光学元件构成,而每个光学元件并不能保证达到完全理想的状态,因此,光通过各个光学元件所成的像会存在一些像差。在光路中对成像影响最大的是球面准直反射镜。如果透镜处于理想状态,掩膜版处主轴上的点光源发出的光是球面波,经过球面准直反射镜后,仍然是理想的球面,汇聚在晶圆上。但是,实际的球面准直反射镜总是存在像差的,导致通过球面准直反射镜后的球面波前的畸变,从而影响成像的质量。因此,对像差的校正至关重要。

发明内容

本申请的目的在于提供一种差校正系统、光刻机及像差校正方法,以实现校正现有技术中球面准直反射镜所产生的的像差的目的。

本申请提供了一种像差校正系统,包括:

光源,提供光束;

狭缝,用于透过所述光束;

球面准直反射镜,接收来自所述狭缝的光束;

反射光栅,接收所述光束,并将所述光束反射至一聚焦反射镜上;

像差校正模块,设置在所述球面准直反射镜与所述反射光栅之间,所述像差校正模块与所述反射光栅接收的光束垂直,以校正由所述球面准直反射镜产生的像差。

可选的,在所述像差校正系统中,,在所述光源和所述球面准直反射镜之间设置了波长选择滤波器。

可选的,在所述像差校正系统中,所述像差校正模块为施密特校正板。

可选的,在所述像差校正系统中,所述施密特校正板具有一入射面和一出射面,所述入射面向所述球面准直反射镜设置,以及出射面面向所述反射光栅设置。

可选的,在所述像差校正系统中,所述施密特校正板的尺寸小于所述反射光栅的尺寸。

可选的,在所述像差校正系统中,所述施密特校正板的材料为光学石英玻璃。

另一方面,本申请还提供了一种光刻机,包括所述的像差校正系统。

可选的,在所述光刻机中,所述的光刻机还包括探测器,以探测从所述聚焦反射镜出射出的所有光束。

其次,本申请还提供了一种像差校正方法,包括:

计算光路中的球面准直反射镜所产生的像差作为需要校正的像差;

根据需要校正的像差计算像差校正模块的参数,并根据所述参数选取像差校正模块;

将所述像差校正模块设置在所述光路中;

以利用所述像差校正模块校正所述需要校正的像差。

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