[发明专利]一种用于微压测量的压力传感器有效
申请号: | 201811459910.0 | 申请日: | 2018-11-30 |
公开(公告)号: | CN109374192B | 公开(公告)日: | 2021-05-25 |
发明(设计)人: | 金忠;刘又清;张龙赐;曹勇全;石慧杰;谢明 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 |
主分类号: | G01L9/02 | 分类号: | G01L9/02;G01L9/04 |
代理公司: | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人: | 周长清;蒋维特 |
地址: | 410111 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 测量 压力传感器 | ||
1.一种用于微压测量的压力传感器,其特征在于:包括由4个压敏电阻构成的惠思登电桥,供电电路和输出电路;
所述压敏电阻的掺杂浓度小于等于1016 cm-3;
所述供电电路分别与所述惠思登电桥的1号接口和3号接口连接,为所述惠思登电桥供电;所述供电电路中还设置有温漂补偿电阻;
所述输出电路与所述惠思登电桥的2号接口和4号接口连接,用于将所述惠思登电桥的输出信号放大后输出;
所述供电电路包括第一放大器、二极管、第六电阻;
所述第一放大器的正极接供电电压VCC,第一放大器的负极串联第六电阻后接地,同时作为供电电路的输出端为所述惠思登电桥供电;所述第一放大器的输出端作为供电电路的输出端为所述惠思登电桥供电;
所述第一放大器的正极还反向串联所述二极管后接地;
所述温漂补偿电阻并联在所述第一放大器的输出端与所述负极之间;
所述微压为压力小于等于2kPa。
2.根据权利要求1所述的用于微压测量的压力传感器,其特征在于:所述压敏电阻包括N型本征硅片和P型电阻;所述P型电阻通过扩散工艺制作在所述N型本征硅片上,所述P型电阻的掺杂浓度小于1016 cm-3。
3.根据权利要求2所述的用于微压测量的压力传感器,其特征在于:所述压敏电阻背面具有双岛结构。
4.根据权利要求1至3任一项所述的用于微压测量的压力传感器,其特征在于:所述供电电路还包括第七电阻,所述第七电阻串联在所述第一放大器的正极与所述供电电压VCC之间。
5.根据权利要求4所述的用于微压测量的压力传感器,其特征在于:所述输出电路包括第二放大器,所述第二放大器的正极与所述惠思登电桥的4号接口连接,所述第二放大器的负极与所述惠思登电桥的2号接口连接,所述第二放大器的输出接口为压力传感器的输出。
6.根据权利要求1至3任一项所述的用于微压测量的压力传感器,其特征在于:所述惠思登电桥和所述温漂补偿电阻设置在同一块芯片体上。
7.根据权利要求6所述的用于微压测量的压力传感器,其特征在于:所述惠思登电桥设置在所述芯片体的压力应变区;所述温漂补偿电阻设置在所述芯片体的非应变区。
8.根据权利要求6所述的用于微压测量的压力传感器,其特征在于:所述温漂补偿电阻的掺杂浓度小于等于1016 cm-3。
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