[发明专利]基于MOSFET源漏极光栅化THz探测器制备方法

权利要求书

1.一种基于MOSFET源漏极光栅化THz探测器制备方法，其特征在于，在基于CMOS的THz探测器源漏极制备过程中，用微/纳米技术构筑微米或纳米级光栅阵列结构型源漏极；通过对源漏极光栅化结构参数(光栅的宽度、长度、区域面积、周期和图案形式)的调节来实现对不同波段THz辐射进行选择性响应和探测；具体包括以下步骤：

第一步：在硅基底上依次通过光刻、离子注入、去胶、氧化物生长、牺牲层沉积、刻蚀、源漏区离子注入，制备出THz探测器底部器件；

第二步：在第一步中所得THz探测器底部器件上通过掩膜版光刻刻蚀手段制备出符合要求的源极光栅结构和漏极光栅结构；

第三步：将第二步中的源极光栅结构和漏极光栅结构分别利用电子束蒸发制备出沉积厚度满足预期的源极层和漏极层，完成器件的源漏极光栅化；

第四步：将第三步中完成源漏极光栅化的器件进一步蒸镀栅极层；完成THz探测器器件制备。

2.根据权利要求1所述的基于MOSFET源漏极光栅化THz探测器制备方法，其特征在于，所述源极光栅结构和漏极光栅结构均为周期可调且具有各种不同图案形式的金属阵列化结构，周期尺度均为100纳米到50微米，源漏极金属层厚度均为5纳米到200纳米，源漏极金属为钛、金、钨中任选一种或两种，金属阵列化结构的区域面积区间均为100平方微米到3平方毫米；所述源极光栅结构和漏极光栅结构中的光栅宽区间均为20纳米到10微米，光栅长区间均为1微米到2毫米。