[发明专利]外延层结构及制备方法、剥离方法、太阳能电池制备方法

说明书

本发明提供的外延层结构及制备方法、剥离方法和太阳能电池制备方法，包括在衬底上依次形成第一牺牲层、吸光层、第二牺牲层和外延功能层，其中，吸光层用于在照射下吸热并将热量传导至第一牺牲层、所第二牺牲层。通过加入吸光层，在湿法刻蚀的同时进行光照，吸光层在照射下发热，而其他层不吸收光照，牺牲层温度的变化会致使腐蚀速度的变化，从而可以通过调整光照强度，来精确调整腐蚀速度，并且不会对外延层产生误刻蚀。

技术领域

本发明属于太阳能电池领域，具体涉及一种外延层结构及制备方法、剥离方法、太阳能电池制备方法。

背景技术

随着节能减排运动的兴起，作为转化效率最高的GaAs太阳能电池的应用越来越广泛。

目前GaAs太阳能电池主要制备方法：将衬底放到金属有机化合物气相沉积(MOCVD)或者分子束外延(MBE)中进行外延沉积后，形成有效的GaAs太阳能电池。柔性太阳能电池具有质量轻，厚度薄，易弯曲等特点，广泛应用在人们的生活中。而柔性太阳能电池主要是通过将具有太阳能电池的外延层与衬底材料进行剥离后得到外延薄膜层。目前，主要的剥离方法是通过湿法刻蚀将外延结构中的牺牲层腐蚀掉，将外延层层与衬底进行分离。但是，这种方法无法精确控制刻蚀速率，并且会对外延层中其他层有误刻蚀的风险

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种外延层结构及制备方法、剥离方法、太阳能电池制备方法。

为解决上述问题，本发明提供了一种外延层结构制备方法，其包括：

在衬底上依次形成第一牺牲层、吸光层、第二牺牲层和外延功能层；

其中，所述吸光层用于在具有预设波长的光源的照射下吸热并将热量传导至所述第一牺牲层、所述第二牺牲层。

其中，所述吸光层的材料为In_xGa_1-xAs，其中，x的取值范围为0.1～1。

其中，所述第一牺牲层与所述第二牺牲层的材料为Al_xGa_1-xAs，其中，x的取值范围为0.5～1。

其中，所述第一牺牲层与所述第二牺牲层的厚度之和的范围为20nm～100nm。

本发明还提供了一种外延层结构，其包括：依次叠置的衬底、第一牺牲层、吸光层、第二牺牲层以及外延功能层；其中，

所述吸光层用于在具有预设波长的光源的照射下吸热并将热量传导至所述第一牺牲层、所述第二牺牲层。

本发明还提供了一种外延层结构剥离方法，其包括：

将外延层结构浸入腐蚀液中，并且，向所述衬底背离所述外延功能层的一侧以预设波长的光源的进行照射，通过调节光照强度，以调节所述第一牺牲层、所述第二牺牲层的腐蚀速度；其中，所述外延层结构为本发明提供的外延层结构。

其中，在所述将外延层结构浸入腐蚀液中的步骤之前，还包括：

依次形成背电极和柔性载体。

其中，预设波长的波长范围为900nm～1240/Eg_吸光层，其中，Eg_吸光层为所述吸光层的禁带宽度。

其中，所述腐蚀液为氢氟溶液。

本发明还提供了一种太阳能电池制备方法，其包括本发明提供的任一外延层结构剥离方法。

本发明具有以下有益效果：