[发明专利]一种低成本碳基钙钛矿太阳能电池背电极在审
| 申请号: | 201811435340.1 | 申请日: | 2018-11-28 |
| 公开(公告)号: | CN109659435A | 公开(公告)日: | 2019-04-19 |
| 发明(设计)人: | 史彦涛;李燕茜 | 申请(专利权)人: | 东莞理工学院;北京赛知科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司: | 北京国谦专利代理事务所(普通合伙) 11752 | 代理人: | 肖应国 |
| 地址: | 523808 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 纳米导电炭黑 背电极 低成本 钙钛矿 碳基 制备 太阳能电池器件 太阳能电池制备 太阳能电池 贵金属 常规器件 成本问题 钙钛矿层 光电性能 甲基吡啶 器件结构 真空蒸镀 第一层 复合物 结晶性 碳材料 碳结构 针状焦 耗能 己基 溴化 电池 调控 | ||
1.一种钙钛矿太阳能电池用PbI2薄膜,其特征在于,所述PbI2薄膜的制备原料中包括溴化N-己基-3-甲基吡啶。
2.根据权利要求1所述的PbI2薄膜,其特征在于,所述PbI2薄膜的制备方法包括:将PbI2和溴化N-己基-3-甲基吡啶用溶剂溶解后得PbI2溶液,取PbI2溶液涂在TiO2多孔层上,加热后自然冷却至室温即得。
3.根据权利要求2所述的PbI2薄膜,其特征在于,所述PbI2薄膜的制备方法还包括下述1)-9)所述中的至少一种:
1)所述PbI2和溴化N-己基-3-甲基吡啶的质量比为100:1~10:1;
2)所述PbI2和溶剂是质量体积比(mg/ml)为600:1~400:1
3)所述溶剂包括N’N二甲基甲酰胺;
4)所述溶解包括60-80℃加热溶解;
5)所述涂包括旋涂;
6)所述取PbI2溶液包括取60-100μL PbI2溶液;
7)所述取PbI2溶液前,还包括将所述PbI2溶液过滤;
8)所述加热包括热板上加热;
9)所述加热包括60-80℃加热10min-1h。
4.一种钙钛矿太阳能电池背电极,其特征在于,所述背电极包括一层炭黑,和一层针状焦与炭黑的混合物。
5.根据权利要求4所述的背电极,其特征在于,所述背电极的制备方法包括:
1)在钙钛矿层上方涂一层炭黑溶液,之后加热除去炭黑溶液中的有机溶剂,得炭黑层;
2)将针状焦、炭黑和溶剂制备成碳浆,再将所述碳桨涂于步骤1)所得的炭黑层上,加热去除溶剂后即得。
6.一种钙钛矿太阳能电池用PbI2薄膜的制备方法,其特征在于,所述方法包括:将PbI2和溴化N-己基-3-甲基吡啶用溶剂溶解后得PbI2溶液,取PbI2溶液涂在TiO2多孔层上,加热后自然冷却至室温即得。
具体的,所述PbI2薄膜的制备方法还包括下述1)-9)所述中的至少一种:
1)所述PbI2和溴化N-己基-3-甲基吡啶的质量比为100:1~10:1;
2)所述PbI2和溶剂是质量体积比(mg/ml)为600:1~400:1;
3)所述溶剂包括N’N二甲基甲酰胺;
4)所述溶解包括60-80℃加热溶解;
5)所述涂包括旋涂;
6)所述取PbI2溶液包括取60-100μL PbI2溶液;
7)所述取PbI2溶液前,还包括将所述PbI2溶液过滤;
8)所述加热包括热板上加热
9)所述加热包括60-80℃加热10min-1h。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





