[发明专利]铜铟镓硒薄膜太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底基板，在所述衬底基板上制备背电极层；

在所述背电极层上制备光吸收层；

将碱金属氟化物与铟、硒进行共蒸发，从而在所述光吸收层的表面沉积掺杂层；

在所述掺杂层上依次制备缓冲层、窗口层和顶电极层。

2.根据权利要求1所述的铜铟镓硒薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，将碱金属氟化物与铟、硒进行共蒸发，从而在所述光吸收层的表面沉积掺杂层，包括：

控制所述衬底基板的温度为300-500℃，将碱金属氟化物与铟、硒共蒸发至所述光吸收层的表面，从而在所述光吸收层的表面沉积10-50nm厚度的掺杂层。

3.根据权利要求2所述的铜铟镓硒薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述共蒸发的时间为1-3分钟。

4.根据权利要求2所述的铜铟镓硒薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，在将碱金属氟化物与铟、硒进行共蒸发之后，还包括：待所述衬底基板冷却后，采用去离子水、稀盐酸或者氨水冲洗所述掺杂层的表面。

5.根据权利要求1所述的铜铟镓硒薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述碱金属选自锂、钠、钾、铷和铯中的一种或几种。

6.根据权利要求1所述的铜铟镓硒薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，在所述背电极层上制备光吸收层，包括：

共蒸发铟、镓和硒至所述背电极层的表面，从而在所述背电极层的表面沉积预置层；

共蒸发铜和硒至所述预置层的表面，从而在所述预置层的表面沉积富铜层；

共蒸发铟、镓和硒至所述富铜层的表面，从而在所述富铜层的表面沉积表面层。

7.根据权利要求6所述的铜铟镓硒薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，在沉积预置层的过程中，控制所述衬底基板的温度为350-450℃，所述预置层的厚度为500-1000nm。

8.根据权利要求6所述的铜铟镓硒薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，在沉积富铜层的过程中，控制所述衬底基板的温度为500-750℃，所述富铜层的厚度为500-1000nm。

9.根据权利要求6所述的铜铟镓硒薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，在沉积表面层的过程中，控制所述衬底基板的温度为500-750℃，所述表面层的厚度为200-500nm。

10.一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池，其特征在于，根据权利要求1-9中任一项所述的铜铟镓硒薄膜太阳能电池的制备方法制备得到。