[发明专利]石墨基材的碳化硅涂布方法在审
| 申请号： | 201811422419.0 | 申请日： | 2018-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN111217622A | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 金锡津 | 申请（专利权）人： | 卡博尼克斯有限公司 |
| 主分类号： | C04B41/87 | 分类号： | C04B41/87 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;郑毅 |
| 地址： | 韩国全*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 石墨 基材 碳化硅 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种石墨基材的碳化硅涂布方法，其特征在于：
在将用于形成涂层的石墨基材与固态硅投入到真空腔室中之后以1,200～2,000℃进行热处理。
2.根据权利要求1所述的石墨基材的碳化硅涂布方法，其特征在于：
上述固态硅被含载到多孔性材料的空隙内部。
3.根据权利要求1所述的石墨基材的碳化硅涂布方法，其特征在于：
上述固态硅，
被堆放在利用多孔性材料构成的载体上部且上述载体位于利用在上述涂布温度下稳定的材料构成的容器内部。
4.根据权利要求3所述的石墨基材的碳化硅涂布方法，其特征在于：
上述硅以粉末或粒子或碎块状态堆放。
5.根据权利要求2至权利要求4中的某一项所述的石墨基材的碳化硅涂布方法，其特征在于：
上述利用在涂层温度下稳定的多孔性材料构成的载体是石墨、碳化铝或碳化硅。
6.根据权利要求2至权利要求4中的某一项所述的石墨基材的碳化硅涂布方法，其特征在于：
上述载体中的孔隙的直径是0.05～1mm。
7.根据权利要求2至权利要求4中的某一项所述的石墨基材的碳化硅涂布方法，其特征在于：
上述载体的孔隙率是10～60％。
8.根据权利要求1至权利要求4中的某一项所述的石墨基材的碳化硅涂布方法，其特征在于：
在上述固态硅与基材之间追加安装有单独的气体分配盘。
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