[发明专利]半导体封装装置

说明书

本发明提供一种半导体封装装置，其包括多个制程模块、预处理模块及传送模块；所述制程模块用于进行制程工艺生产，所述预处理模块位于所述制程模块外，其包括若干个加热单元和若干个冷却单元；所述传送模块用于在多个所述制程模块和所述预处理模块之间传送晶圆。本发明的半导体封装装置通过优化的结构设置，晶圆的传送完全实现自动化，可以极大缩短晶圆在制程模块内的停留时间，可以显著提高制程模块的流转率及整个半导体封装装置的产出率，降低半导体封装厂的设备投入成本，同时本发明的半导体封装装置可以极大减小占用的空间，有利于厂内的布局优化，有利于提高产线的自动化水平，有助于降低生产成本和避免生产事故的发生。

技术领域

本发明属于半导体芯片封装领域，特别是涉及一种半导体封装装置。

背景技术

焊线(wire bonding)是半导体芯片封装过程中的关键工序之一，它是使芯片与封装基板或引线框架等完成电路连接，以使芯片实现电子信号传输的功能。焊线过程中，界面温度非常重要。尤其是在晶圆级封装工艺(Wafer level package，简称WLP)中，晶圆与焊线之间的温度对焊线品质影响非常大，因而在焊线工艺前对晶圆进行加热以改善界面温度是一个必经阶段，而现有的晶圆级封装工艺中都是由操作人员手动将晶圆放置到焊线设备内，操作人员手动开启焊线设备的加热装置将晶圆加热到预定温度后开始进行焊线操作，最后再由操作人员将晶圆移出焊线设备，即现有的焊线设备本身自带加热装置，晶圆的加热过程在焊线设备内完成，之后继续在同一焊线设备内进行焊线工艺。这种方式存在不少问题。比如，由于晶圆的移动都是依赖操作人员的手工作业，不仅生产效率低下，容易造成晶圆污染和损伤，而且容易对操作人员造成人身伤害；另一方面，由于加热过程比较缓慢，晶圆加热到预定温度所需的时间较长，使得焊线设备的产出率低下，设备投入成本增加、设备占用空间多，此外，过多的焊线设备导致半导体封装厂内空间拥挤、自动化水平低下，极易引发生产事故，而扩充生产空间又带来新的生产成本增加等问题。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种半导体封装装置，用于解决现有技术中依赖人工作业导致生产效率低下，易造成人员伤害、晶圆污染和损伤，且因晶圆加热时间太长，导致设备产出率下降，设备投入成本增加，以及导致半导体厂内空间拥挤带来的生产成本上升及生产事故隐患增加等问题。

为实现上述目的及其它相关目的，本发明提供一种半导体封装装置，其包括多个制程模块、预处理模块及传送模块；所述制程模块用于进行制程工艺生产，所述预处理模块位于所述制程模块之外，其包括若干个加热单元和若干个冷却单元；所述传送模块用于在多个所述制程模块和所述预处理模块之间传送晶圆。

可选地，所述制程模块包括焊线腔室。

可选地，所述制程模块的数量大于等于4个。

可选地，若干个所述加热单元上下间隔排布；若干个所述冷却单元上下间隔排布，若干个所述冷却单元位于若干个所述加热单元下方，且与所述加热单元具有间距。

可选地，所述半导体封装装置还包括隔热层，所述隔热层位于所述加热单元与所述冷却单元之间。

可选地，所述加热单元包括加热器。

更可选地，所述加热单元还包括温控器，所述温控器与所述加热器相连接。

可选地，所述半导体封装装置还包括晶圆装载模块。

在一可选方案中，所述半导体封装装置还包括壳体，多个所述制程模块、所述预处理模块、所述传送模块及所述晶圆装载模块均位于所述壳体内。

可选地，所述半导体封装装置还包括过滤器，所述过滤器位于所述壳体上。

在另一可选方案中，所述半导体封装装置还包括壳体，所述传送模块位于所述壳体内，多个所述制程模块和所述预处理模块位于所述壳体外且与所述壳体相连接。