[发明专利]全自动非晶制程下蜡系统的工作方法在审
| 申请号: | 201811348213.8 | 申请日: | 2018-11-13 |
| 公开(公告)号: | CN109216246A | 公开(公告)日: | 2019-01-15 |
| 发明(设计)人: | 肖迪 | 申请(专利权)人: | 江苏利泷半导体科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 221300 江苏省徐州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 非晶片 自动化控制 表面喷射 人工搬运 传统的 陶瓷盘 非晶 蜡液 制程 加热 | ||
本发明涉及一种下蜡系统的工作方法,本下蜡系统的工作方法包括:加热放置有蜡贴非晶片的陶瓷盘;向非晶片表面喷射下蜡液;本发明实现了自动化控制下蜡的功能,克服了传统的需要人工搬运,对蜡贴非晶片进行人工揭落的问题,节省了人力、物力,并且提高了下蜡效率。
技术领域
本发明涉及一种非晶制造领域,尤其涉及一种下蜡系统的工作方法。
背景技术
传统的下蜡方法都采用浸泡热水溶剂,时间长,效率低,成本高,污染严重。
因此,亟需开发一种下蜡系统的工作方法,以解决上述问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种全自动非晶制程下蜡系统的工作方法。
为了解决上述技术问题,本发明提供一种下蜡系统的工作方法,其包括:加热放置有蜡贴非晶片的陶瓷盘;向非晶片表面喷射下蜡液。
进一步,所述下蜡系统的工作方法适于采用下蜡系统实现所述下蜡系统的工作方法。
进一步,所述下蜡系统包括:处理单元、加热装置,以及投液装置;其中所述加热装置上开设若干加热槽,所述加热槽适于放置蜡贴非晶片的陶瓷盘;以及所述处理单元适于控制所述加热装置以对所述加热槽内进行加热,且控制所述投液装置向非晶片表面喷射下蜡液以使非晶片从陶瓷盘上脱落。
进一步,所述下蜡系统包括:与所述处理单元电性相连的温度传感器;所述温度传感器适于采集加热槽内温度,且所述处理单元预设有一温度阈值,当超过所述温度阈值时,所述处理单元控制所述加热装置停止加热。
进一步,述投液装置包括:与所述处理单元电性相连的水泵,储液仓以及设置于各加热槽旁的喷嘴;所述储液仓适于存放下蜡液,所述储液仓通过导管与各喷嘴相连,所述处理单元适于控制所述水泵抽取所述储液仓中下蜡液,并通过各喷嘴向相应加热槽内进行喷射。
进一步,所述下蜡系统包括:设置在所述加热槽中的真空吸附盘;所述真空吸附盘适于将陶瓷盘吸附于加热槽中。
进一步,所述下蜡系统包括:扫描装置;所述扫描装置适于采集放置蜡贴非晶片的陶瓷盘的编号、相应放置陶瓷盘的加热槽编号、非晶片下蜡前后的破损信息,并发送至处理单元。
进一步,所述下蜡系统还包括:冷却装置;所述冷却装置适于对下蜡后的陶瓷盘进行冷却。
进一步,所述冷却装置适于采用散热风扇。
进一步,所述加热槽底部开设有通孔,以使液体流出。
本发明的有益效果是,本发明实现了自动化控制下蜡的功能,克服了传统的需要人工搬运,对蜡贴非晶片进行人工揭落的问题,节省了人力、物力,并且提高了下蜡效率。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
图1是本发明下蜡系统的原理框图;
图2是本发明下蜡系统的结构图;
图3本发明下蜡系统的工作方法的流程图。
图中:加热装置1、加热槽101、真空吸附盘102、通孔103;
投液装置2、水泵201、储液仓202、喷嘴203。
具体实施方式
现在结合附图对本发明作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图,仅以示意方式说明本发明的基本结构,因此其仅显示与本发明有关的构成。
实施例1
图1是本发明下蜡系统的原理框图;
图2是本发明下蜡系统的结构图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





