[发明专利]全自动非晶制程下蜡系统的工作方法在审
| 申请号: | 201811348213.8 | 申请日: | 2018-11-13 | 
| 公开(公告)号: | CN109216246A | 公开(公告)日: | 2019-01-15 | 
| 发明(设计)人: | 肖迪 | 申请(专利权)人: | 江苏利泷半导体科技有限公司 | 
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 | 
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 | 
| 地址: | 221300 江苏省徐州*** | 国省代码: | 江苏;32 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 非晶片 自动化控制 表面喷射 人工搬运 传统的 陶瓷盘 非晶 蜡液 制程 加热 | ||
1.一种下蜡系统的工作方法,其特征在于,包括:
加热放置有蜡贴非晶片的陶瓷盘;
向非晶片表面喷射下蜡液。
2.如权利要求1所述的下蜡系统的工作方法,其特征在于,
所述下蜡系统包括:
处理单元、加热装置,以及投液装置;其中
所述加热装置上开设若干加热槽,所述加热槽适于放置蜡贴非晶片的陶瓷盘;以及
所述处理单元适于控制所述加热装置以对所述加热槽内进行加热,且控制所述投液装置向非晶片表面喷射下蜡液以使非晶片从陶瓷盘上脱落。
3.如权利要求2所述的下蜡系统,其特征在于,
所述下蜡系统包括:与所述处理单元电性相连的温度传感器;
所述温度传感器适于采集加热槽内温度,且所述处理单元预设有一温度阈值,当超过所述温度阈值时,所述处理单元控制所述加热装置停止加热。
4.如权利要求2所述的下蜡系统,其特征在于,
所述投液装置包括:与所述处理单元电性相连的水泵,储液仓以及设置于各加热槽旁的喷嘴;
所述储液仓适于存放下蜡液,所述储液仓通过导管与各喷嘴相连,所述处理单元适于控制所述水泵抽取所述储液仓中下蜡液,并通过各喷嘴向相应加热槽内进行喷射。
5.如权利要求2所述的下蜡系统,其特征在于,
所述下蜡系统包括:设置在所述加热槽中的真空吸附盘;
所述真空吸附盘适于将陶瓷盘吸附于加热槽中。
6.如权利要求2所述的下蜡系统,其特征在于,
所述下蜡系统包括:扫描装置;
所述扫描装置适于采集放置蜡贴非晶片的陶瓷盘的编号、相应放置陶瓷盘的加热槽编号、非晶片下蜡前后的破损信息,并发送至处理单元。
7.如权利要求2所述的下蜡系统,其特征在于,
所述下蜡系统还包括:冷却装置;
所述冷却装置适于对下蜡后的陶瓷盘进行冷却。
8.如权利要求2所述的下蜡系统,其特征在于,
所述冷却装置适于采用散热风扇。
9.如权利要求2所述的下蜡系统,其特征在于,
所述加热槽底部开设有通孔,以使液体流出。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





