[发明专利]湿式处理设备及其处理方法有效
申请号: | 201811345994.5 | 申请日: | 2018-11-13 |
公开(公告)号: | CN111048436B | 公开(公告)日: | 2022-05-20 |
发明(设计)人: | 易健民 | 申请(专利权)人: | 智优科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 | 代理人: | 张雅军;史瞳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 设备 及其 方法 | ||
1.一种湿式处理设备,适于对承载治具所承载的多个芯片进行加工处理;其特征在于:
所述湿式处理设备包含输送装置、蚀刻区、第一清洗区、去氧化区,及第二清洗区,所述输送装置可沿第一输送方向输送所述承载治具移动,所述蚀刻区具有用以供所述输送装置所输送的所述承载治具浸泡以蚀刻每一个所述芯片的多个引脚的第一药液,所述第一清洗区位于所述蚀刻区下游侧用以清洗经由所述蚀刻区输出的所述承载治具上的所述芯片,所述去氧化区位于所述第一清洗区下游侧,并具有用以供所述输送装置所输送的所述承载治具浸泡以对每一个所述芯片的所述引脚产生去氧化反应的第二药液,所述第二清洗区位于所述去氧化区下游侧用以清洗经由所述去氧化区输出的所述承载治具上的所述芯片,所述蚀刻区形成用以供所述承载治具穿过并容置有所述第一药液的第一药液槽,所述蚀刻区包括位于所述第一药液槽下游侧的两个第一喷头及两个第一侧喷嘴,所述第一喷头沿垂直于所述第一输送方向的上下方向相间隔,用以对所述承载治具上的所述芯片喷气以移除所述第一药液,所述第一侧喷嘴沿垂直于所述上下方向的左右方向相间隔,用以对所述承载治具上的所述芯片侧向喷气以移除所述第一药液。
2.根据权利要求1所述的湿式处理设备,其特征在于:所述蚀刻区还包括多个设置于所述第一药液槽内的第一药液喷头,所述第一药液喷头中的一部分朝上对所述芯片喷出水刀形式的所述第一药液,而另一部分朝下对所述芯片喷出水刀形式的所述第一药液,所述第一侧喷嘴其中之一是沿左喷气方向对所述芯片喷气,而其中另一是沿相反于所述左喷气方向的右喷气方向对所述芯片喷气。
3.根据权利要求1所述的湿式处理设备,其特征在于:所述第一清洗区包括第一清洗段,及位于所述第一清洗段下游侧的第二清洗段,所述第一清洗段包含两个沿垂直于所述第一输送方向的上下方向相间隔的第一喷水头,及两个沿所述上下方向相间隔且位于所述第一喷水头下游侧的第一喷气头,所述第一喷水头用以对所述芯片喷出水刀形式的水,所述第一喷气头用以对所述芯片喷气以移除所述水,所述第二清洗段形成有水槽,所述水槽容置有用以清洗所述芯片的水,所述第二清洗段包含两个沿所述上下方向相间隔的第二喷水头,及两个沿所述上下方向相间隔且位于所述第二喷水头下游侧的第二喷气头,所述第二喷水头用以对所述芯片喷出水刀形式的水,所述第二喷气头用以对所述芯片喷气以移除所述水。
4.根据权利要求3所述的湿式处理设备,其特征在于:所述第一清洗区还包括位于所述第二清洗段下游侧的第三清洗段,所述第三清洗段包含多对沿所述第一输送方向相间隔排列的第一喷洒件,及两个沿所述上下方向相间隔且位于所述第一喷洒件下游侧的第三喷气头,每一对的两个第一喷洒件沿所述上下方向相间隔用以对所述芯片喷洒水,所述第三喷气头用以对所述芯片喷气以移除所述水。
5.根据权利要求4所述的湿式处理设备,其特征在于:所述第一清洗区包括位于所述第三清洗段下游侧的第四清洗段,所述第四清洗段包含多对沿所述第一输送方向相间隔排列的第二喷洒件、两个沿所述上下方向相间隔且位于所述第二喷洒件下游侧的第四喷气头,及两个位于所述第二喷洒件下游侧的侧喷气嘴,每一对的两个第二喷洒件沿所述上下方向相间隔用以对所述芯片喷洒水,所述第四喷气头用以对所述芯片喷气以移除所述水,所述侧喷气嘴沿垂直于所述上下方向的左右方向相间隔,用以对所述输送装置所输送的所述承载治具上的所述芯片侧向喷气以移除所述水,所述侧喷气嘴其中之一是沿左喷气方向对所述芯片喷气,而其中另一是沿相反于所述左喷气方向的右喷气方向对所述芯片喷气。
6.根据权利要求1所述的湿式处理设备,其特征在于:所述去氧化区形成用以供所述承载治具穿过并容置有所述第二药液的第二药液槽,所述去氧化区包括位于所述第二药液槽下游侧的两个第二喷头及两个第二侧喷嘴,所述第二喷头沿所述上下方向相间隔用以对所述芯片喷气以移除所述第二药液,所述第二侧喷嘴沿所述左右方向相间隔用以对所述芯片侧向喷气以移除所述第二药液。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于智优科技股份有限公司,未经智优科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811345994.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:输入装置及电子装置
- 下一篇:电容感应取样电路及其感应取样方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造