[发明专利]具有杂质掺杂电介质区的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

阻挡电介质，设置在下部区上；

堆叠结构，包括面向所述阻挡电介质的栅电极和层间绝缘层；

侧向杂质区，设置在所述层间绝缘层和所述阻挡电介质之间的边界区内；以及

下部杂质区，设置在所述下部区和所述阻挡电介质之间的边界区内。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述下部区包括半导体区，并且所述阻挡电介质接触所述半导体区。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

沟道半导体层，与所述下部区接触并且面向所述阻挡电介质；

数据存储层，设置在所述沟道半导体层和所述阻挡电介质之间，并且与所述下部区间隔开；以及

隧道电介质，设置在所述数据存储层和所述沟道半导体层之间，并且与所述下部区间隔开。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，还包括：栅极电介质，设置在所述栅电极和所述层间绝缘层之间，并且在所述栅电极和所述阻挡电介质之间延伸，以接触所述阻挡电介质，

其中，所述栅极电介质由介电常数比所述阻挡电介质的介电常数大的高k电介质形成。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述侧向杂质区延伸到所述栅极电介质和所述阻挡电介质之间的边界区内。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述侧向杂质区和所述下部杂质区包括相同的杂质，并且所述相同的杂质包括碳。

7.一种半导体器件，包括：

存储单元竖直结构，设置在基板上，每个存储单元竖直结构包括第一栅极电介质；

堆叠结构，设置在所述基板上，并且包括面向所述存储单元竖直结构的栅电极和层间绝缘层；以及

侧向杂质区，设置在所述存储单元竖直结构和所述堆叠结构之间的边界区内。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，还包括：第二栅极电介质，设置在所述层间绝缘层和所述栅电极之间，并且在所述栅电极和所述第一栅电介质之间延伸。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第一栅极电介质包括与所述层间绝缘层和所述第二栅极电介质接触的阻挡电介质，以及

其中，所述侧向杂质区设置在所述阻挡电介质和所述层间绝缘层之间的边界区以及所述阻挡电介质和所述第二栅极电介质之间的边界区内。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述第一栅极电介质还包括数据存储层和隧道电介质，

其中，所述数据存储层设置在所述阻挡电介质和所述隧道电介质之间，

其中，所述阻挡电介质具有面向所述堆叠结构的第一表面以及面向所述数据存储层的第二表面，以及

其中，相较于距所述阻挡电介质的第二表面，所述侧向杂质区距所述阻挡电介质的第一表面更近。

11.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述侧向杂质区的杂质包括碳。

12.根据权利要求7所述的半导体器件，还包括：分离结构，设置在所述基板上，

其中，所述分离结构穿透所述堆叠结构，

其中，所述存储单元竖直结构设置在所述分离结构之间，

其中，所述层间绝缘层和所述栅电极分别被设置为多个层间绝缘层和多个栅电极，并且所述多个层间绝缘层和所述多个栅电极交替地重复堆叠，以及

其中，所述堆叠结构包括所述多个层间绝缘层和所述多个栅电极。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，所述堆叠结构的所述多个层间绝缘层中设置在靠近所述分离结构的区域中并且沿竖直方向彼此相邻的部分之间的距离大于所述多个层间绝缘层中设置在远离所述分离结构的区域中并且沿竖直方向彼此相邻的部分之间的距离。