[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法和包括该薄膜晶体管的显示设备

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：

基板上的氧化物半导体层；

所述氧化物半导体层上的栅绝缘膜；

所述栅绝缘膜上的栅极；

所述栅绝缘膜上的氢供应层；

与所述氧化物半导体层连接的源极；以及

与所述源极间隔开并与所述氧化物半导体层连接的漏极，

其中，所述氧化物半导体层包括与所述栅极交叠的沟道部分和不与所述栅极交叠的连接部分，所述连接部分的氢浓度高于所述沟道部分的氢浓度，所述栅绝缘膜包括与所述栅极交叠的第一区域和不与所述栅极交叠的第二区域，并且所述第二区域的氢浓度高于所述第一区域的氢浓度。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述连接部分具有沿着从所述基板朝向所述氢供应层的方向的氢浓度的梯度。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述连接部分具有3原子％至6原子％的氢浓度。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述栅绝缘膜设置在所述氧化物半导体层的与所述基板相反的整个表面上。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述栅绝缘膜的所述第二区域具有沿着厚度方向的氢浓度的梯度。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述第二区域的氢浓度在从所述基板朝向所述氢供应层的方向上增加。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述氢供应层延伸到所述栅极的上部。

8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，对于所述氢供应层，与所述栅极交叠的区域的氢浓度高于不与所述栅极交叠的区域的氢浓度。

9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述氢供应层的厚度为2nm至10nm。

10.一种用于制造薄膜晶体管的方法，该方法包括以下步骤：

在基板上形成氧化物半导体层；

在所述氧化物半导体层上形成栅绝缘膜；

在所述栅绝缘膜上形成与所述氧化物半导体层部分地交叠的栅极；

在所述栅绝缘膜上形成氢供应层；

向所述氢供应层照射紫外线；以及

形成彼此间隔开并分别与所述氧化物半导体层连接的源极和漏极。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，在所述氧化物半导体层的整个表面上形成所述栅绝缘膜。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，所述氢供应层被形成为延伸到所述栅极的上部。

13.根据权利要求10所述的方法，其中，所述氢供应层由硅氮化物形成。

14.根据权利要求10所述的方法，其中，所述紫外线的波长范围为150nm至300nm。

15.一种显示设备，该显示设备包括：

基板；

设置在所述基板上的薄膜晶体管；以及

与所述薄膜晶体管连接的第一电极，

其中，所述薄膜晶体管包括：

所述基板上的氧化物半导体层；

所述氧化物半导体层上的栅绝缘膜；

所述栅绝缘膜上的栅极；

所述栅绝缘膜上的氢供应层；

与所述氧化物半导体层连接的源极；以及

与所述源极间隔开并与所述氧化物半导体层连接的漏极，并且

其中，所述氧化物半导体层包括与所述栅极交叠的沟道部分和不与所述栅极交叠的连接部分，所述连接部分的氢浓度高于所述沟道部分的氢浓度，所述栅绝缘膜包括与所述栅极交叠的第一区域和不与所述栅极交叠的第二区域，并且所述第二区域的氢浓度高于所述第一区域的氢浓度。