[发明专利]一种改善管式PECVD色差降级的镀膜方法在审

专利信息
申请号: 201811323234.4 申请日: 2018-11-08
公开(公告)号: CN109355642A 公开(公告)日: 2019-02-19
发明(设计)人: 姚银根 申请(专利权)人: 百力达太阳能股份有限公司
主分类号: C23C16/50 分类号: C23C16/50;C23C16/34
代理公司: 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 代理人: 汤东凤
地址: 314516 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 色差 镀膜 降级 管式 返工 分色 返工成本 膜厚测试 目标颜色 膜厚 合格率 测试 达标 分类
【说明书】:

本发明公开了一种改善管式PECVD色差降级的镀膜方法,包括以下步骤,步骤一,分色:对所产生的色差片进行分色,以目标颜色的膜厚为基准,将低于或高于该准色差片进行分类,分成低于该基准的返工片和低于该基准的降级片;步骤二,测试:对于颜色不达标的降级片通过膜厚测试,确定与基准范围的差距。该改善管式PECVD色差降级的镀膜方法极大地降低了镀膜色差的返工比例,提高了整体合格率,同时也降低了返工成本。

技术领域:

本发明涉及太阳能电池领域,具体讲是一种改善管式PECVD色差降级的镀膜方法。

背景技术:

在太阳能光伏电池片的生产制造过程中,普遍采用具有良好减反射和表面钝化的氮化硅膜。在电池片生产过程中,通常采用PECVD(等离子体增强化学气相沉积)方式进行镀氮化硅膜,分为板式PECVD和管式PECVD,板式PECVD镀膜均匀性较好,但氮化硅膜致密性较管式PECVD差,管式PECVD在电池片电性能上有相对优势,有较高的光电转换效率,目前氮化硅膜的沉积大部分使用管式PECVD,但是管式PECVD对膜的均匀性有一定的影响,通常有较大比例的色差降级。一般出现色差片等外观颜色不良品就需要返工处理,使用高浓度氢氟酸去除氮化硅膜,然后再重新制绒、扩散、刻蚀,再镀氮化硅膜,返工比较麻烦,而且返工均会造成硅片损伤,也会增加硅片的碎片率,提高电池片的生产成本。

发明内容:

本发明所要解决的技术问题是,提供一种降低镀膜色差的返工比例,提高整体合格率,同时也降低返工成本的改善管式PECVD色差降级的镀膜方法。

本发明的技术解决方案是,提供一种改善管式PECVD色差降级的镀膜方法,包括以下步骤,

步骤一,分色:对所产生的色差片进行分色,以目标颜色的膜厚为基准,将低于或高于该准色差片进行分类,分成低于该基准的返工片和低于该基准的降级片;

步骤二,测试:对于颜色不达标的降级片通过膜厚测试,确定与基准范围的差距;

步骤三,调整膜厚:根据膜厚差距,在机台上将膜厚不达标的降级片重新进管式PECVD进行补镀工艺,在补镀工艺运行至等离子发射步时,根据膜厚和镀膜时间关系,调整镀膜时间来达到相差的膜厚,从而使色差降级片到达标准膜厚。

采用以上方案后与现有技术相比,本发明具有以下优点:极大地降低了镀膜色差的返工比例,提高了整体合格率,同时也降低了返工成本。

附图说明:

图1为本发明实施例的流程图。

具体实施方式:

下面结合附图就具体实施方式对本发明作进一步说明:

如图1所示,一种改善管式PECVD色差降级的镀膜方法,包括以下步骤,

步骤一,分色:对所产生的色差片进行分色,以目标颜色的膜厚为基准,将低于或高于该准色差片进行分类,分成低于该基准的返工片和低于该基准的降级片;例如目标颜色范围的膜厚在80-85纳米,那么低于该基准膜厚的归为一类,即降级片,高于该基准膜厚的归为一类,即返工片,返工片返工处理到基准膜厚;通常在生产过程中,由于设备和外部供气等因素,绝大多处会造成工艺中断,出现较多的颜色膜厚不达标的情况,也就是说降级片较多;

步骤二,测试:对于颜色不达标的降级片通过膜厚测试,确定与基准范围的差距;

步骤三,调整膜厚:根据膜厚差距,在机台上将膜厚不达标的降级片重新进管式PECVD进行补镀工艺,在补镀工艺运行至等离子发射步时,根据膜厚和镀膜时间关系,调整镀膜时间来达到相差的膜厚,从而使色差降级片到达标准膜厚。

本发明通过对降级片进行补镀工艺,使其达到目标颜色,极大地降低了镀膜色差的返工比例,提高了整体合格率,同时也降低了返工成本。

以上仅就本发明较佳的实施例作了说明,但不能理解为是对权利要求的限制。凡是利用本发明说明书所做的等效结构或等效流程变换,均包括在本发明的专利保护范围之内。

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