[发明专利]阵列基板的制作方法及阵列基板

说明书

本发明提供一种阵列基板的制作方法及阵列基板。所述阵列基板的制作方法先在衬底基板上形成透明导电薄膜和覆盖所述透明导电薄膜的金属薄膜，并通过一道光罩图案化所述透明导电薄膜和金属薄膜，形成由透明导电薄膜和金属薄膜形成的栅极和由透明导电薄膜形成的阵列基板公共电极，相比于现有技术，透明的阵列基板公共电极，能够提升像素开口率，改善显示效果，且栅极和阵列基板公共电极仍通过一道光罩制得，无需增加光罩数量，制作成本较低。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板的制作方法及阵列基板。

背景技术

随着显示技术的发展，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。

现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶显示面板及背光模组(backlight module)。液晶显示面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子，两片玻璃基板中间有许多垂直和水平的细小电线，通过通电与否来控制液晶分子改变方向，将背光模组的光线折射出来产生画面。

通常液晶显示面板由彩膜基板(CF，Color Filter)、阵列基板(TFT，Thin FilmTransistor)、夹于彩膜基板与阵列基板之间的液晶(LC，Liquid Crystal) 及密封胶框(Sealant)组成，其成型工艺一般包括：前段阵列(Array)制程 (薄膜、黄光、蚀刻及剥膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT基板与CF基板贴合)及后段模组组装制程(驱动IC与印刷电路板压合)。其中，前段Array制程主要是形成TFT基板，以便于控制液晶分子的运动；中段Cell制程主要是在 TFT基板与CF基板之间添加液晶；后段模组组装制程主要是驱动IC压合与印刷电路板的整合，进而驱动液晶分子转动，显示图像。

现有的阵列基板一般包括：衬底基板、设于衬底基板上的间隔排列的栅极和阵列基板公共电极(Array Com，Acom)、设于所述衬底基板、栅极和阵列基板公共电极上的栅极绝缘层、设于所述栅极上的栅极绝缘层上的有源层、设于所述有源层上且分别与所述有源层的两端接触的源极和漏极、设于所述栅极绝缘层、有源层、源极和漏极上的钝化层、设于所述钝化层上的且与所述漏极电性连接的像素电极，其中栅极和阵列基板公共电极位于同一膜层且均采用不透光的金属材料制成，开口率较低。

发明内容

本发明的目的在于提供一种阵列基板的制作方法，能够提升像素开口率，且不增加光罩数量。

本发明的目的还在于提供一种阵列基板，能够提升像素开口率，改善显示效果。

为实现上述目的，本发明提供了一种阵列基板的制作方法，包括如下步骤：

步骤S1、提供一衬底基板，在所述衬底基板上形成透明导电薄膜和覆盖所述透明导电薄膜的金属薄膜；

步骤S2、在所述金属薄膜上覆盖光阻薄膜；

步骤S3、对所述光阻薄膜进行图案化，除去除待形成栅极和阵列基板公共电极的区域以外的光阻薄膜，得到位于待形成栅极的区域上的第一光阻段及位于待形成阵列基板公共电极的区域上的第二光阻段，且所述第一光阻段的厚度大于第二光阻段；

步骤S4、以第一光阻段和第二光阻段为遮挡，对所述透明导电薄膜和金属薄膜进行蚀刻，除去除待形成栅极和阵列基板公共电极的区域以外的透明导电薄膜和金属薄膜；

步骤S5、去除第二光阻段同时减薄第一光阻段，以剩余的第一光阻段为遮挡对金属薄膜进行蚀刻，去除待形成阵列基板公共电极的区域上金属薄膜，得到阵列基板公共电极；

步骤S6、去除剩余的第一光阻段，得到栅极；