[发明专利]显示装置及补偿电容的操作方法有效
申请号: | 201811317564.2 | 申请日: | 2018-11-07 |
公开(公告)号: | CN109346485B | 公开(公告)日: | 2022-08-02 |
发明(设计)人: | 黄昱荣;李兴龙;李素贞;张正良;蔡孟杰;黄德群 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/133;G02F1/1362 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 黄艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 补偿 电容 操作方法 | ||
本公开涉及一种显示装置及补偿电容的操作方法。显示装置具有显示区以及多个非显示区。显示装置包括基板、多个像素单元、多条第一栅极线、多条第二栅极线、多条第一数据线、多条第二数据线及多个电容补偿结构。像素单元矩阵排列于基板上。第一栅极线与第二栅极线于基板上配置成列。第一数据线与第二数据线于基板上配置成行。电容补偿结构矩阵排列于非显示区中。电容补偿结构包括部分第二栅极线、绝缘层、半导体层及部分第二数据线。绝缘层配置于部分第二栅极线上。半导体层配置于绝缘层上。部分第二数据线配置于半导体层上。部分第二数据线与部分第二栅极线分别位于半导体层的相对两侧。
技术领域
本发明涉及一种显示装置,且特别涉及一种具有电容补偿结构的显示装置以及补偿电容的操作方法。
背景技术
目前,在具有液晶显示装置的电子产品(例如:手机)中,常会在其液晶显示装置的上方中心设置有凹孔(notch),以放置相机或感测器;甚至还会将其液晶显示装置的四个角做成圆角,以满足消费者在电子产品外观上的需求。然而,相较于液晶显示装置的其他区域,在凹孔和圆角处的栅极线上所对应的像素数量比较少,因而使得在凹孔和圆角处的栅极线的栅极负载与其他区域的栅极线的栅极负载有所不同,进而造成液晶显示装置有显示亮度不均匀且画面不连续的问题。
发明内容
本发明提供一种显示装置,包括有电容补偿结构,可具有较均匀的显示亮度,且可避免画面不连续的问题。
本发明提供一种补偿电容的操作方法,利用上述具有电容补偿结构的显示装置,可改善显示亮度不均匀且画面不连续的问题。
本发明的一种显示装置具有显示区以及多个非显示区。显示装置包括基板、多个像素单元、多条第一栅极线、多条第二栅极线、多条第一数据线、多条第二数据线及多个电容补偿结构。像素单元矩阵排列于基板上且位于显示区中。第一栅极线与第二栅极线于基板上配置成列且位于显示区中。第一数据线与第二数据线于基板上配置成行且位于显示区中。电容补偿结构矩阵排列于非显示区中。电容补偿结构包括部分第二栅极线、绝缘层、半导体层及部分第二数据线。绝缘层配置于部分第二栅极线上。半导体层配置于绝缘层上。部分第二数据线配置于半导体层上。部分第二数据线与部分第二栅极线分别位于半导体层的相对两侧。
本发明的一种补偿电容的操作方法,利用上述的显示装置,而操作方法包括以下步骤。当第二栅极线的栅极负载相较于第一栅极线的栅极负载大时,通过增加电容补偿结构中的第二数据线的电位,以降低补偿电容及第二栅极线的总电容。当第二栅极线的栅极负载相较于第一栅极线的栅极负载小时,通过降低电容补偿结构中的第二数据线的电位,以增加补偿电容及第二栅极线的总电容。当第二栅极线的电位下降时间相较于第一栅极线的电位下降时间慢时,通过增加电容补偿结构中的第二数据线的电位,以降低补偿电容及第二栅极线的总电容。当第二栅极线的电位下降时间相较于第一栅极线的电位下降时间快时,通过降低电容补偿结构中的第二数据线的电位,以增加补偿电容及第二栅极线的总电容。
在上述实施例之一的显示装置,具有电容补偿结构,可具有较均匀的显示亮度,且可避免画面不连续的问题。
在上述实施例之一的补偿电容的操作方法,可改善显示亮度不均匀且画面不连续的问题。
基于上述,本实施例的显示装置具有多个电容补偿结构,排列于非显示区中。电容补偿结构包括部分第二栅极线、绝缘层、半导体层及部分第二数据线。其中,绝缘层配置于部分第二栅极线上,半导体层配置于绝缘层上,部分第二数据线配置于半导体层上,且部分第二数据线与部分第二栅极线分别位于半导体层的相对两侧。借此设计,使得上述的显示装置可具有较均匀的显示亮度且可避免画面不连续的问题。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合说明书附图作详细说明如下。
附图说明
图1A示出为本发明一实施例的一种显示装置的俯视示意图。
图1B示出为图1A中区域A的放大图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的