[发明专利]晶圆对位的方法

说明书

一种晶圆对位的方法，包括：将所述晶圆放置在测试机台中后，所述扫描探头发射测试入射光至晶圆的第一测试区域表面和第二测试区域表面，并获取自第一测试区域中主灰阶对比区表面的第一测试反射光、自第一测试区域中附非标记区表面的第二测试反射光、自第二测试区域中主灰阶对比区表面的第三测试反射光、以及自第二测试区域中附非标记区表面的第四测试反射光；获取第一测试反射光相对于第二测试反射光的第一相对灰阶度；获取第三测试反射光相对于第四测试反射光的第二相对灰阶度；根据第一相对灰阶度和第二相对灰阶度的差异，判断晶圆的对位情况。所述晶圆对位的方法提高了晶圆对位判断的准确率。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种晶圆对位的方法。

背景技术

在晶圆经过多次工艺步骤，需要对晶圆表面的性能进行测试。通常将晶圆放置在测试机台中，之后执行对晶圆表面性能的测试。在对晶圆表面性能进行测试之前，需要判断晶圆在测试机台中的位置是否满足要求。

晶圆在测试机台中的位置需要对准，包括宏观对准和微观对准。宏观对准指的是：主要依靠人眼和测试机台中的对位标记来判断晶圆大致上是否对准。满足宏观对准后，需要使晶圆满足微观对准。宏观对准和微观对准均满足要求后，才能对晶圆表面性能进行具体的测试。

然而，现有对晶圆微观对准的判断准确率较低。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种晶圆对位的方法，以提高晶圆对位判断的准确率。

为解决上述问题，本发明提供一种晶圆对位的方法，包括：提供测试机台，所述测试机台中具有扫描探头；提供晶圆，所述晶圆包括第一切割道区，第一切割道区的延伸方向适于与所述扫描探头对晶圆的扫描方向平行，所述晶圆包括位于所述第一切割道区内的若干分立的灰阶对比区域，各灰阶对比区域包括主灰阶对比区和紧邻所述主灰阶对比区的附非标记区，所述主灰阶对比区包括标记图形区和位于所述标记图形区周围的主非标记区；选择位于同一条第一切割道区内的任意两个灰阶对比区域分别作为第一测试区域和第二测试区域；将所述晶圆放置在测试机台中；将所述晶圆放置在测试机台中后，所述扫描探头发射测试入射光至晶圆的第一测试区域表面和第二测试区域表面，并获取自第一测试区域中主灰阶对比区表面的第一测试反射光、自第一测试区域中附非标记区表面的第二测试反射光、自第二测试区域中主灰阶对比区表面的第三测试反射光、以及自第二测试区域中附非标记区表面的第四测试反射光；获取第一测试反射光相对于第二测试反射光的第一相对灰阶度；获取第三测试反射光相对于第四测试反射光的第二相对灰阶度；根据第一相对灰阶度和第二相对灰阶度的差异，判断晶圆的对位情况。

可选的，所述主灰阶对比区的边缘形状呈矩形；所述主灰阶对比区包括若干子主灰阶对比区，所述若干子主灰阶对比区排列成N行*M列的矩阵；所述附非标记区的边缘形状呈矩形；所述附非标记区包括若干子附非标记区，所述若干子附非标记区排列成N行*M列的矩阵；获取第一测试反射光相对于第二测试反射光的第一相对灰阶度的方法包括：获取第一测试反射光中对应第k行第j列子主灰阶对比区的第一光强，k大于等于1且小于等于N，j大于等于1且小于等M；获取第二测试反射光中对应第k行第j列子附非标记区的第二光强；根据第二光强与第一光强的差值，获取对应第一测试区域中第k行第j列子主灰阶对比区的第一相对灰阶度；获取第三测试反射光相对于第四测试反射光的第二相对灰阶度的方法包括：获取第三测试反射光中对应第k行第j列子主灰阶对比区的第三光强；获取第四测试反射光中对应第k行第j列子附非标记区的第四光强；根据第三光强与第四光强的差值，获取对应第二测试区域中第k行第j列子主灰阶对比区的第二相对灰阶度。

可选的，所述第一相对灰阶度和第二相对灰阶度的差异的获取方法包括：对应第一测试区域中第k行第j列子主灰阶对比区的第一相对灰阶度，减去对应第二测试区域中第k行第j列子主灰阶对比区的第二相对灰阶度，得到第一测试区域中第k行第j列子主灰阶对比区的第一相对灰阶度与第二测试区域中第k行第j列子主灰阶对比区的第二相对灰阶度之间的差异。