[发明专利]芯片贴装的工艺

说明书

本发明实施例公开了一种芯片贴装的工艺，包括以下步骤：S1对晶圆进行切割并得到多个芯片。S2在已得到的多个芯片的正面贴设第一保护膜。S3对已贴有第一保护膜的芯片的背面进行研磨打薄至预设厚度。S4将已研磨打薄后的芯片背面贴上第二保护膜。S5去除已贴有第二保护膜的芯片上的第一保护膜。S6将已去除第一保护膜的芯片上的第二保护膜去除。S7使已去除第二保护膜的芯片的背面蘸胶，胶的固化温度为60～80℃。S8将已背面蘸胶的芯片的背面贴装到基板表面，基板设置在加热轨道上。S9完成芯片贴装。本发明的芯片贴装的工艺可以减少加工工序、缩短加工周期以及降低产品的加工成本。

技术领域

本发明实施例涉及半导体封装工序技术领域，尤其涉及一种芯片贴装的工艺。

背景技术

早期的芯片厚度较厚，通常采用环氧树脂作为芯片与基板或框架之间的粘结剂。随着产品工艺的发展，产品的体积要求越来越小，厚度越来越薄，当芯片厚度低于150um之后，存在环氧树脂从侧面爬到芯片表面的风险。因此，厚度低于150um芯片贴装采用DAF膜(Die attach film芯片粘结薄膜)将芯片和基板或框架粘结在一起，DAF膜具有双层膜结构，比普通膜的表面多了一层胶膜，当芯片被拾取后，这层胶膜会与普通膜脱离，粘附在芯片背面，在芯片完成贴装后，通过加热使胶膜融化，从而实现芯片与基板的紧密粘接。传统厚芯片的工艺流程是先进行晶圆背面研磨减薄，再进行晶圆切割，但是当芯片的厚度低于60um之后，减薄后晶圆的拿取存在破片风险。因此，传统薄芯片的工艺流程调整为DBG(dicing before Grinding)工艺，即先进行晶圆切割，再进行晶圆背面研磨减薄，然后再采用一次激光切割工序。

本申请的发明人发现，现有技术中，传统厚芯片的工艺只能单层作业，一次不能贴装多块芯片，传统薄芯片的DBG工艺需要采用DAF膜和激光切割工序，增加了加工成本，并且延长了加工周期，导致生产效率低。

发明内容

本发明的目的在于提供一种芯片贴装的工艺，以减少加工工序、缩短加工周期以及降低产品的加工成本。

本发明实施例提供一种芯片贴装的工艺，包括以下步骤：

S1对晶圆进行切割并得到多个芯片；

S2在已得到的多个芯片的正面贴设第一保护膜；

S3对已贴有第一保护膜的芯片的背面进行研磨打薄至预设厚度；

S4将已研磨打薄后的芯片背面贴上第二保护膜；

S5去除已贴有第二保护膜的芯片上的第一保护膜；

S6将已去除第一保护膜的芯片上的第二保护膜去除；

S7使已去除第二保护膜的芯片的背面蘸胶，所述胶的固化温度为60～80℃；

S8将已背面蘸胶的芯片的背面贴装到基板表面，所述基板设置在加热轨道上；

S9完成芯片贴装；

通过上述芯片贴装的工艺，减少传统的激光切割步骤和避免使用价格昂贵的DAF膜，从而减少加工工序、缩短加工周期以及降低产品的加工成本。

在一种可行的方案中，所述步骤S6具体包括：利用吸嘴吸抓已去除第一保护膜的芯片正面，使芯片的背面与第二保护膜脱离；

去除第二保护膜，从而便于进行后续的芯片背面蘸胶工序。利用吸嘴吸抓芯片的方式，可以保证不损害芯片的表面，且能顺利完成芯片的运输。

在一种可行的方案中，所述步骤S7具体包括：将吸抓的芯片移动至蘸胶工位，所述蘸胶工位上设有盛胶容器，所述盛胶容器包括：板形主体，所述板形主体的上侧设有盛胶槽，所述盛胶槽用于存放所述胶，将吸抓的芯片移动至所述盛胶槽的底部，完成芯片的背面蘸胶；

使芯片背面充分蘸胶，以便后续的贴装工序。