[发明专利]晶片吸盘

说明书

一种晶片吸盘包括吸盘本体及多个密封环。吸盘本体包括承载表面及设置在所述承载表面上的至少一个真空孔，所述承载表面被配置成承载晶片。承载表面的直径对晶片的直径的比率大体上等于或大于45％且大体上等于或小于90％。密封环设置在承载表面上且被配置成在实体上接触晶片。密封环环绕真空孔。

技术领域

本发明实施例涉及一种晶片吸盘。

背景技术

较大的晶片可容纳更多的芯片且可降低每一芯片的成本。因此，现今在半导体制造工艺中普遍使用具有较大的尺寸的晶片。尽管可使用具有较大的尺寸(例如300毫米(mm)或甚至更大)的晶片来降低制造成本，然而较大的晶片会引入先前在较小的晶片中所未考虑到的新问题。一个关键问题是对于300mm或更大的晶片，晶片翘曲(wafer warpage)变得更为严重。

晶片翘曲造成许多非期望的制造缺陷。举例来说，晶片上的旋涂层(spun-onlayer)在中心处所具有的厚度可能大于在外边缘处所具有的厚度。在刻蚀工艺(etchingprocess)中，从晶片中心到边缘出现临界尺寸(critical dimension，CD)均匀性的问题至少部份是源自于对晶片翘曲的不完美吸附(chucking)。此外，在光刻工艺(photolithographic process)中，光刻胶(photoresist，PR)层从晶片中心到外边缘的厚度均匀性是关键。在曝光期间，由晶片翘曲所引发的焦点漂移(focus drift)对于临界尺寸均匀性来说可能会造成毁灭性的影响。

发明内容

本发明实施例是针对一种晶片吸盘，其可提升对晶片的吸附稳定性与均匀性。

根据本发明的实施例，一种晶片吸盘包括吸盘本体以及多个密封环。所述吸盘本体包括承载表面及设置在所述承载表面上的至少一个真空孔，所述承载表面被配置成承载晶片，其中所述承载表面的直径对所述晶片的直径的比率大于或等于45％且小于或等于90％。所述多个密封环设置在所述承载表面上且被配置成在实体上接触所述晶片，其中所述密封环环绕所述真空孔。

根据本发明的实施例，一种晶片吸盘包括吸盘本体以及多个密封环。所述吸盘本体包括承载表面及设置在所述承载表面上的至少一个真空孔，所述承载表面被配置成承载晶片。所述多个密封环设置在所述承载表面上且被配置成在实体上接触所述晶片，其中所述多个密封环环绕所述至少一个真空孔，所述多个密封环包括多个开口间隙，且所述多个开口间隙彼此对齐以在所述多个密封环之间界定出至少一个气流通道。

根据本发明的实施例，一种晶片吸盘包括吸盘本体、多个密封环以及边缘环。吸盘本体包括承载表面及设置在所述承载表面上的真空孔，所述承载表面被配置成承载晶片。所述多个密封环设置在所述承载表面上且被配置成在实体上接触所述晶片，其中所述多个密封环环绕所述真空孔。所述边缘环环绕所述吸盘本体的边缘，其中所述边缘环的顶表面高于所述多个密封环中的每一者的顶表面。所述真空器件耦合到所述吸盘本体且与所述真空孔气体连通。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本发明的各个方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1示出根据本发明一些示例性实施例的晶片吸盘的剖视图。

图2示出根据本发明一些示例性实施例的晶片吸盘的俯视图。

图3示出根据本发明一些示例性实施例的晶片吸盘的剖视图。

图4到图13示出根据本发明一些示例性实施例的晶片吸盘的俯视图。

图14示出根据本发明一些示例性实施例的晶片吸盘的局部透视图。

图15示出根据本发明一些示例性实施例的晶片吸盘的俯视图。

[符号的说明]

100、100’、100”：晶片吸盘