[发明专利]晶片吸盘有效
申请号: | 201811307545.1 | 申请日: | 2018-11-05 |
公开(公告)号: | CN110556327B | 公开(公告)日: | 2022-11-29 |
发明(设计)人: | 廖思豪;余振华;郭宏瑞;胡毓祥;陈韦志 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人: | 顾伯兴 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 吸盘 | ||
1.一种晶片吸盘,其特征在于,包括:
吸盘本体,包括承载表面及设置在所述承载表面上的至少一个真空孔,所述承载表面被配置成承载晶片,其中所述承载表面的直径对所述晶片的直径的比率大于或等于45%且小于或等于90%;
多个密封环,设置在所述承载表面上且被配置成在实体上接触所述晶片,其中所述密封环环绕所述真空孔;以及
边缘环,环绕所述吸盘本体的边缘,其中所述边缘环的顶表面高于所述密封环中的每一者的顶表面。
2.根据权利要求1所述的晶片吸盘,所述多个密封环以同心的方式排列。
3.根据权利要求1所述的晶片吸盘,所述至少一个真空孔包括多个真空孔。
4.根据权利要求3所述的晶片吸盘,所述多个密封环中的每一者环绕所述多个真空孔中的至少一者。
5.根据权利要求1所述的晶片吸盘,所述多个密封环包括多个开口间隙。
6.根据权利要求1所述的晶片吸盘,多个开口间隙沿穿过所述吸盘本体的中心的方向彼此对齐。
7.一种晶片吸盘,其特征在于,包括:
吸盘本体,包括承载表面及设置在所述承载表面上的多个真空孔,所述承载表面被配置成承载晶片;
多个密封环,设置在所述承载表面上且被配置成在实体上接触所述晶片,其中所述多个密封环环绕所述多个真空孔,所述多个密封环包括多个开口间隙,且所述多个开口间隙彼此对齐以在所述多个密封环之间界定出至少一个气流通道,所述至少一个气流通道将所述承载表面划分成多个扇形,且所述多个真空孔平均地分布在所述扇形中的每一者上;以及
边缘环,环绕所述吸盘本体的边缘,其中所述边缘环的顶表面高于所述密封环中的每一者的顶表面。
8.根据权利要求7所述的晶片吸盘,所述多个开口间隙沿穿过所述吸盘本体的中心的方向彼此对齐,且所述至少一个真空孔设置在所述承载表面的所述中心处。
9.根据权利要求7所述的晶片吸盘,其中所述边缘环的顶表面高于所述密封环中的每一者的顶表面。
10.根据权利要求9所述的晶片吸盘,所述边缘环的侧面轮廓呈L形并用以作为所述晶片吸盘的唇缘密封件,且所述边缘环被配置成接触所述晶片的周边以在所述晶片与所述晶片吸盘之间形成初始密封状态。
11.根据权利要求7所述的晶片吸盘,所述多个真空孔中的一者设置在所述承载表面的中心处,且所述多个密封环中的每一者环绕所述多个真空孔中的至少一者。
12.根据权利要求7所述的晶片吸盘,所述至少一个气流通道包括多个气流通道,且所述多个气流通道以放射状方式排列。
13.根据权利要求7所述的晶片吸盘,其特征在于,所述至少一个气流通道包括多个气流通道,且所述多个气流通道彼此平行。
14.根据权利要求7所述的晶片吸盘,所述至少一个气流通道的形状呈扇形形状,且所述扇形的顶角介于2°到15°之间。
15.根据权利要求7所述的晶片吸盘,其特征在于,所述承载表面的直径对所述晶片的直径的比率等于或大于45%且等于或小于90%。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造