[发明专利]半导体存储器件

说明书

本发明提供一种半导体存储器件，其包括感测放大器、电压供应电路和电压供应控制电路。感测放大器可以通过从第一至第三电压供应线接收驱动电压而被激活，以检测和放大数据线和取反数据线的电压电平。电压供应电路可以响应于第一至第三电压供应信号和偏置控制信号而将驱动电压施加到第一至第三电压供应线。电压供应控制电路可以响应于激活信号来产生第一至第三电压供应信号和偏置控制信号。

相关申请的交叉引用

本申请要求2017年11月23日提交的韩国专利申请第10-2017-0157112号的优先权，其公开内容通过引用整体合并于此。

技术领域

各种实施例总体而言可以涉及一种半导体集成电路，并且更具体地，涉及一种半导体存储器件。

背景技术

通常，半导体存储器件可以储存和输出数据。

对提供结合了低功耗和快速操作速度的可靠的半导体存储器件的需求很高。这种半导体存储器件可以能够利用低功率以高速度来对所储存的数据进行检测和放大。

发明内容

本发明的示例实施例提供了一种半导体存储器件，其能够确保用于以快速的操作速度对数据进行检测和放大的可靠性。

在本公开的示例实施例中，一种半导体存储器件可以包括感测放大器、电压供应电路和电压供应控制电路。所述感测放大器可以通过从第一电压供应线至第三电压供应线接收驱动电压而被激活，以检测和放大数据线和取反数据线的电压电平。所述电压供应电路可以响应于第一电压供应信号至第三电压供应信号和偏置控制信号而将所述驱动电压施加到所述第一电压供应线至所述第三电压供应线。所述电压供应控制电路可以响应于激活信号来产生所述第一电压供应信号至所述第三电压供应信号和所述偏置控制信号。

在本公开的示例实施例中，一种半导体存储器件可以包括感测放大器、电压供应控制电路和电压供应电路。所述感测放大器可以包括多个晶体管。所述电压供应控制电路可以响应于激活信号来产生偏置控制信号。所述电压供应电路可以响应于所述偏置控制信号而向所述晶体管中的任意一个提供第一负电压和第二负电压中的任意一个作为反向偏置电压。

在本公开的示例实施例中，当数据线和取反数据线的电压电平可改变时，半导体存储器件可以改变感测放大器中的晶体管中的任意一个的反向偏置电压。

根据示例实施例，所述半导体存储器件可以具有数据可靠性和快速操作速度。

附图说明

从以下结合附图的详细描述，将更清楚地理解本公开主题的上述和其他方面、特征和优点，其中：

图1是示出根据示例实施例的半导体存储器件的图。

图2是示出图1所示的半导体存储器件中采用的感测放大器的一个示例实施例的图。

图3是示出图1所示的半导体存储器件中采用的电压供应电路的一个示例实施例的图。

图4是示出图1所示的半导体存储器件中采用的电压供应控制电路的一个示例实施例的图。

图5是示出根据示例实施例的半导体存储器件的操作的时序图。

具体实施方式

将参考附图更详细地描述本发明的各种实施例。附图是各种实施例(和中间结构)的示意图。因此，可以预期由于例如制造技术和/或公差导致的图示的配置和形状的变化。因此，所描述的实施例不应被解释为限于本文示出的特定配置和形状，而是可以包括配置和形状上的偏差，所述偏差不脱离如所附权利要求中限定的本发明的精神和范围。

本文参考本发明的理想化实施例的横截面和/或平面图示来描述本发明。然而，本发明的实施例不应被解释为限制本发明构思。尽管将示出和描述本发明的一些实施例，但是本领域普通技术人员将理解，在不脱离本发明的原理和精神的情况下，可以在这些实施例中做出改变。