[发明专利]放射自显影装置

权利要求书

1.一种放射自显影装置，其特征在于，包括：

探测单元，其包括闪烁晶体阵列和与所述闪烁晶体阵列耦合的光电转换器阵列，其中，所述闪烁晶体阵列用于接收从目标样品发出的放射性射线并产生对应的可见光信号，所述光电转换器阵列用于将所述可见光信号转换为电信号；

信号处理单元，其用于对所述光电转换器阵列产生的电信号进行处理；

图像投影单元，其用于根据所述信号处理单元的信号处理结果进行图像投影以得到所述目标样品的图像，其中，所述信号处理结果包括电信号的时间信息、能量信息以及闪烁晶体阵列中的闪烁晶体的位置信息。

2.根据权利要求1所述的放射自显影装置，其特征在于，当所述闪烁晶体阵列包括多个闪烁晶体时，每两个所述闪烁晶体之间的间隙为0.04mm～0.2mm，并且所述闪烁晶体阵列的总厚度小于400mm。

3.根据权利要求1所述的放射自显影装置，其特征在于，当所述目标样品的厚度为20μm～100μm时，每两个所述闪烁晶体阵列之间的间距均为1mm～10mm。

4.根据权利要求1所述的放射自显影装置，其特征在于，所述光电转换器阵列包括一个或多个光电转换器，每个所述光电转换器的尺寸与所述闪烁晶体阵列中的闪烁晶体的尺寸匹配。

5.根据权利要求4所述的放射自显影装置，其特征在于，所述光电转换器均包括硅光电倍增器、光电倍增管、电荷耦合器件或雪崩光电二极管。

6.根据权利要求1所述的放射自显影装置，其特征在于，所述闪烁晶体阵列与所述光电转换器阵列直接通过耦合层来耦合。

7.根据权利要求1所述的放射自显影装置，其特征在于，所述闪烁晶体阵列与所述光电转换器阵列通过耦合层和光导来耦合，其中，所述耦合层位于所述光导与所述闪烁晶体阵列和所述光电转换器阵列之间。

8.根据权利要求6或7所述的放射自显影装置，其特征在于，所述耦合层由光学胶水、硅胶、AB胶和/或UV胶组成。

9.根据权利要求7所述的放射自显影装置，其特征在于，所述光导的透光率大于90％，并且所述光导包括亚克力片、光学玻璃和/或光纤丝。

10.根据权利要求9所述的放射自显影装置，其特征在于，所述光导被部分切割或全切割，并且所述光导的切割缝隙的宽度为0.1mm～0.5mm。

11.根据权利要求7所述的放射自显影装置，其特征在于，所述光导为单层或多层结构，并且所述光导的总厚度为0.1mm～10mm。

12.根据权利要求1所述的放射自显影装置，其特征在于，所述探测单元还包括：

信号复用电路，其用于对所述光电转换器阵列产生的电信号进行信号复用处理并将处理后的电信号发送给所述信号处理单元。

13.根据权利要求12所述的放射自显影装置，其特征在于，所述信号复用电路包括以下电路中的至少一种：电阻网络复用电路、电容网络复用电路、传输线复用电路、十字交叉复用电路和射频线圈复用电路。

14.根据权利要求1所述的放射自显影装置，其特征在于，所述放射自显影装置还包括：

传输单元，其用于将所述信号处理单元的信号处理结果和/或所述图像投影单元产生的图像传输到外部装置。

15.根据权利要求1所述的放射自显影装置，其特征在于，所述放射自显影装置还包括：

图像重建单元，其用于根据所述电信号的信号处理结果进行图像重建。