[发明专利]存储器电路以及包括该存储器电路的存储器设备

说明书

提供了一种存储器电路和包括该存储器电路的存储器设备。存储器电路可以连接到位线和互补位线，并且被配置为对位线和互补位线执行预充电。该存储器电路可以包括：均衡器，被配置为响应于均衡信号通过将位线与互补位线连接来均衡位线和互补位线的电压电平；以及预充电器，被配置为响应于预充电信号将位线和互补位线预充电到预充电电压。均衡信号和预充电信号可以经由单独的线接收。

相关申请的交叉引用

本申请要求2017年11月10日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2017-0149794号的权益，其公开内容通过引用整体并入本文。

技术领域

本公开涉及存储器电路和包括该存储器电路的存储器设备，更具体地，涉及对存储器单元阵列预充电的存储器电路。

背景技术

存储器设备可以用半导体实现，诸如硅(silicon，Si)、锗(germanium，Ge)、砷化镓(gallium arsenide，GaAs)和磷化铟(indium phosphide，InP)。存储器设备可以被分类为易失性存储器设备或非易失性存储器设备。

非易失性存储器设备是存储在其中的数据即使在电源中断时也不会消失的存储器设备。示例性非易失性存储器设备可以包括NAND闪存、垂直NAND闪存、NOR闪存、电阻随机存取存储器(random-access memory，RAM)(resistive random-access memory，RRAM)、相变存储器、磁阻RAM(magnetoresistive RAM，MRAM)等。

易失性存储器设备是当电源中断时存储在其中的数据消失的存储器设备。示例性易失性存储器设备可以包括静态RAM(static RAM，SRAM)、动态RAM(dynamic RAM，DRAM)、锁存器、触发器、寄存器等。

在DRAM中，存储器单元阵列可以包括位线和连接到互补位线的存储器单元。当执行读取操作(或刷新操作)时，位线读出放大器(sense amplifier)可以读出(sense)和放大位线和互补位线之间的电压差。位线读出放大器可以包括多个晶体管。作为制造工艺改进的结果，多个晶体管的栅极氧化层的厚度已经减小。然而，随着多个晶体管的栅极氧化物层的厚度减小，出现了栅极漏电流响应于施加的电压而增大的问题。

发明内容

本公开的发明构思提供了一种能够在存储器单元阵列的预充电过程中减少位线读出放大器的栅极漏电流的存储器电路。

本发明构思还提供了一种能够在存储器单元阵列的预充电过程中减少位线读出放大器的栅极漏电流的存储器设备。

根据本发明构思的一方面，提供了一种存储器电路。该存储器电路可以连接到位线和互补位线，并且可以被配置为对位线和互补位线执行预充电。该存储器电路可以包括：均衡器，其被配置为响应于均衡信号通过将位线与互补位线连接来均衡位线和互补位线的电压电平；以及预充电器，被配置为响应于预充电信号将位线和互补位线预充电到预充电电压。均衡信号和预充电信号可以经由单独的线接收。

根据本发明构思的另一方面，提供了一种易失性存储器设备。该易失性存储器设备可以包括：存储器单元阵列，其连接到位线和互补位线，并且包括多个存储器单元；位线读出放大器，其被配置为读出和放大位线和互补位线的信号；以及预充电管理器，其被配置为经由单独的线向位线读出放大器输出均衡信号和预充电信号。位线读出放大器可以包括均衡器，该均衡器被配置为响应于均衡信号通过将位线与互补位线电连接来均衡位线和互补位线；以及预充电器，其被配置为响应于预充电信号将位线和互补位线预充电到预充电电压。