[发明专利]一种静电感应晶闸管及其制造方法

权利要求书

1.一种静电感应晶闸管，其特征在于，包括：

第一导电类型的衬底；

第二导电类型的第一埋层，所述第一埋层注入形成于所述衬底下表面；

多个第一导电类型的第一高掺杂区，所述第一高掺杂区注入形成于所述第一埋层；

多个第二导电类型的第二高掺杂区，所述第二高掺杂区注入形成于所述第一埋层；

多个第二导电类型的第二埋层，所述第二埋层注入形成于所述衬底上表面，所述第二埋层间隔设置；

第一导电类型的外延层，所述外延层生长于所述衬底上表面；

隔离槽，所述隔离槽刻蚀贯穿所述外延层，并延伸到位于所述衬底两端的所述第二埋层；

第二导电类型的第三高掺杂区，所述第三高掺杂区注入形成于所述外延层位于所述隔离槽外侧的区域；

第一导电类型的第四高掺杂区，所述第四高掺杂区注入形成于所述外延层，所述第四高掺杂区位于所述隔离槽之间；

第一金属，所述第一金属形成于所述衬底下表面；

正面金属，所述正面金属包括第二金属和第三金属，所述第二金属与所述第四高掺杂区连接，所述第三金属分别与所述第三高掺杂区连接。

2.根据权利要求1所述的一种静电感应晶闸管，其特征在于，所述衬底电阻率为150～250Ω*cm，厚度为200～280μm。

3.根据权利要求1所述的一种静电感应晶闸管，其特征在于，所述第一埋层的注入剂量为1.6E12～2.1E12CM^-2，注入能量为100KeV。

4.根据权利要求1所述的一种静电感应晶闸管，其特征在于，所述第一高掺杂区的注入剂量为5E15～5.5E15CM^-2，注入能量为120KeV。

5.根据权利要求1所述的一种静电感应晶闸管，其特征在于，所述第二埋层的注入剂量为1E14～2E14CM^-2，注入能量为60～80KeV。

6.一种静电感应晶闸管的制造方法，其特征在于，包括：

提供第一导电类型的衬底；

在所述衬底下表面注入形成第二导电类型的第一埋层；

在所述第一埋层注入形成多个第一导电类型的第一高掺杂区；

在所述第一埋层注入形成多个第二导电类型的第二高掺杂区；

在所述衬底上表面注入形成多个第二导电类型的第二埋层，所述第二埋层间隔设置；

在所述衬底上表面生长形成第一导电类型的外延层；

在所述外延层进行深槽刻蚀形成隔离槽，所述隔离槽贯穿所述外延层，并延伸到位于所述衬底两端的所述第二埋层；

在所述外延层注入形成第二导电类型的第三高掺杂区，所述第三高掺杂区注入形成于所述外延层位于所述隔离槽外侧的区域；

在所述外延层注入形成第一导电类型的第四高掺杂区，所述第四高掺杂区位于所述隔离槽之间；

在所述衬底下表面形成第一金属；

在所述衬底上表面形成正面金属，所述正面金属包括第二金属和第三金属，所述第二金属与所述第四高掺杂区连接，所述第三金属分别与所述第三高掺杂区连接。

7.根据权利要求6所述的一种静电感应晶闸管的制造方法，其特征在于，所述衬底电阻率为150～250Ω*cm，厚度为200～280μm。

8.根据权利要求6所述的一种静电感应晶闸管的制造方法，其特征在于，所述外延层的电阻率为20±5Ω*cm，厚度为6～8μm。

9.根据权利要求6所述的一种静电感应晶闸管的制造方法，其特征在于，所述隔离槽宽度为1～1.5μm，深度为8～10μm。

10.根据权利要求6所述的一种静电感应晶闸管的制造方法，其特征在于，所述第三高掺杂区采用分次注入形成，第一次注入剂量为6～8E15CM^-2，注入能量为300KeV，第二次注入剂量为6～8E15CM^-2，注入能量为100KeV。