[发明专利]静电吸附卡盘的循环液系统在审
申请号: | 201811287024.4 | 申请日: | 2018-10-31 |
公开(公告)号: | CN110544663A | 公开(公告)日: | 2019-12-06 |
发明(设计)人: | 马恩泽;楼丰瑞;石锗元 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 11218 北京思创毕升专利事务所 | 代理人: | 孙向民;廉莉莉<国际申请>=<国际公布> |
地址: | 100176 北京市大*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静电吸附 循环液 卡盘 冷却液循环 循环液系统 冷却机 双通道冷却 加热功率 卡盘基体 水路连接 水路循环 外部循环 温度工艺 温度稳定 温度循环 高低温 控温 升降 水路 引入 配置 | ||
1.一种静电吸附卡盘的循环液系统,所述静电吸附卡盘的基体中包含冷却液循环水路,其特征在于,所述循环液系统包括与所述冷却液循环水路连接的冷却机,所述冷却机配置为能够同时泵出不同温度的第一循环液和第二循环液,其中一种循环液经过所述冷却液循环水路循环时,另一种循环液在所述静电吸附卡盘外部循环。
2.根据权利要求1所述的静电吸附卡盘的循环液系统,其特征在于,还包括循环液进液管和循环液回液管,所述冷却机通过循环液进液管与所述冷却液循环水路的入口连接,通过循环液回液管与所述冷却液循环水路的出口连接。
3.根据权利要求2所述的静电吸附卡盘的循环液系统,其特征在于,所述冷却机包括第一循环液出口、第一循环液入口、第二循环液出口以及第二循环液入口,所述第一循环液出口和所述第二循环液出口与所述循环液进液管连接,所述第一循环液入口和所述第二循环液入口与所述循环液回液管连接,并且所述第一循环液出口与所述第一循环液入口之间形成第一循环回路,所述第二循环液出口与所述第二循环液出口之间形成第二循环回路。
4.根据权利要求3所述的静电吸附卡盘的循环液系统,其特征在于,还包括第一阀组件和第二阀组件,所述第一阀组件用于控制第一循环液的循环,所述第二阀组件用于控制第二循环液的循环。
5.根据权利要求4所述的静电吸附卡盘的循环液系统,其特征在于,所述第一阀组件包括三个气动阀,第一气动阀设置在所述第一循环液出口与所述循环液进液管的连接管路上,第二气动阀设置在所述第一循环液入口与所述循环液回液管的连接管路上,第三气动阀设置在所述第一循环回路上。
6.根据权利要求4所述的静电吸附卡盘的循环液系统,其特征在于,所述第二阀组件包括三个气动阀,第四气动阀设置在所述第二循环液出口与所述循环液进液管的连接管路上,第五气动阀设置在所述第二循环液入口与所述循环液回液管的连接管路上,第六气动阀设置在所述第二循环回路上。
7.根据权利要求1-6中的一项所述的静电吸附卡盘的循环液系统,其特征在于,还包括数显流量计,其设置在与所述冷却液循环水路的入口连接的管路上。
8.根据权利要求5或6所述的静电吸附卡盘的循环液系统,其特征在于,所述气动阀为气动隔膜阀。
9.根据权利要求1所述的静电吸附卡盘的循环液系统,其特征在于,所述循环液系统还包括流路切换装置;所述冷却机包括第一循环液出口、第一循环液入口、第二循环液出口以及第二循环液入口;所述第一循环液出口、所述第一循环液入口、所述第二循环液出口以及所述第二循环液入口分别通过管路连接所述流路切换装置,所述流路切换装置分别通过管路连接所述冷却液循环水路的入口和所述冷却液循环水路的出口;
所述流路切换装置配置为:使其中一种循环液经过所述冷却液循环水路循环时,另一种循环液在所述静电吸附卡盘外部循环。
10.根据权利要求9所述的静电吸附卡盘的循环液系统,其特征在于,所述流路切换装置为电磁换向阀;所述电磁换向阀配置为:使所述第一循环液出口、所述第一循环液入口分别与所述冷却液循环水路的入口、所述冷却液循环水路的出口连通,同时所述第二循环液出口与所述第二循环液入口连通;或者使所述第二循环液出口、所述第二循环液入口分别与所述冷却液循环水路的入口、所述冷却液循环水路的出口连通,同时所述第一循环液出口与所述第一循环液入口连通。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造