[发明专利]保护膜及其制造方法、保护装置、物体保护方法有效
申请号: | 201811275768.4 | 申请日: | 2018-10-30 |
公开(公告)号: | CN109346431B | 公开(公告)日: | 2020-12-15 |
发明(设计)人: | 罗程远;薛金祥 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L23/60 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 刘小鹤 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 保护膜 及其 制造 方法 保护装置 物体 保护 | ||
本申请公开了一种保护膜及其制造方法、保护装置、物体保护方法,属于保护膜领域。所述保护膜具有用于与待保护物粘接的目标表面,目标表面包括导电区域与粘性区域。本申请解决了保护膜的保护效果较差的问题,提高了保护膜的保护效果。本申请用于保护物体。
技术领域
本申请涉及保护膜领域,特别涉及一种保护膜及其制造方法、保护装置、物体保护方法。
背景技术
随着显示技术的发展,对于显示面板的性能要求越来越高。
相关技术中,显示面板的制造过程涉及多次制造工艺,在对显示面板中已经制造得到的结构进行一次制造工艺时,可以在该结构中当前制造工艺未涉及的区域贴附保护膜,以对已经制得的结构进行保护。之后,在需要针对该贴附保护膜的区域进行其他制造工艺时,需要将该保护膜揭除。
但是,在揭除已经制得的结构上贴附的保护膜时,保护膜与该结构之间会产生较大的静电,进而会损伤该结构中的电子器件(如薄膜晶体管等),因此保护膜的保护效果较差。
发明内容
本申请提供了一种保护膜及其制造方法、保护装置、物体保护方法,可以解决保护膜的保护效果较差的问题,提高保护膜的保护效果。所述技术方案如下:
一方面,提供了一种保护膜,所述保护膜具有用于与待保护物粘接的目标表面,所述目标表面包括导电区域与粘性区域。
可选地,所述导电区域的面积大于所述目标表面面积的30%。
可选地,所述保护膜包括:叠加的导电层与具有粘性的辅助层,
所述辅助层具有镂空,所述导电层中存在伸入所述镂空的目标导电部分,所述辅助层中远离所述导电层的表面形成所述粘性区域,所述目标导电部分的一个表面形成所述导电区域。
可选地,所述镂空的截面呈梯形,且所述梯形的下底远离所述目标表面,所述梯形的上底位于所述目标表面所在的平面。
可选地,所述镂空远离所述导电层一侧的开口呈圆形或多边形。
可选地,所述多边形为长方形。
可选地,所述辅助层远离所述导电层的表面具有多个凹槽。
可选地,所述凹槽的开口呈圆形,所述圆形的直径范围为0.25微米~5微米。
可选地,所述导电层的材料为导电高分子材料,所述导电层的方块电阻小于100欧姆。
可选地,所述保护膜还包括:位于所述导电层远离所述辅助层一侧的凸台,所述凸台伸入所述镂空内。
可选地,所述辅助层具有多个镂空,所述保护膜包括多个凸台,所述多个镂空与所述多个凸台一一对应,每个凸台位于其对应的镂空内。
可选地,所述多个镂空均匀分布在所述辅助层中。
可选地,所述凸台的截面呈梯形,所述凸台的梯形截面的上底和下底的长度范围均为1毫米~5毫米,所述凸台的高度范围为10微米~20微米。
可选地,所述辅助层包括:叠加的胶层与除尘层,且所述除尘层位于所述胶层远离所述导电层的一侧。
可选地,所述保护膜还包括:衬底,所述衬底位于所述导电层远离所述辅助层的一侧。
可选地,所述保护膜还包括:贴附于所述目标表面的保护层。
可选地,所述保护膜由柔性材料制成。
可选地,所述除尘层的材料为纳米微吸材料。
可选地,所述保护膜的厚度范围为50微米~200微米。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造