[发明专利]诊断半导体晶圆的方法

说明书

本公开实施例提供一种诊断半导体晶圆的方法。通过检查装置，根据关于目标晶粒的布局的图形数据系统信息，得到半导体晶圆的第一原始影像、第二原始影像与第三原始影像。通过判定电路，对第一原始影像、第二原始影像与第三原始影像执行基于影像的第一比较，以便提供比较结果。比较结果是指示在第一原始影像、第二原始影像与第三原始影像之间是否存在影像差异。

技术领域

本公开有关于一种诊断半导体晶圆的方法，且特别有关于一种使用多个原始影像来诊断半导体晶圆的方法。

背景技术

在半导体技术中，具有多个晶粒的每一晶圆是通过芯片制造设备(FAB)中的多个制程和阶段所产生。每一制程或阶段可能将一或多个缺陷引入于半导体晶圆中，这将导致品质和可靠性问题、故障和产量损失。为了改善制造技术并提高晶圆品质、可靠性和良率，半导体晶圆会在每一制程和每一阶段中进行测量、测试、监控和诊断。

发明内容

本公开提供一种诊断半导体晶圆的方法。通过检查装置，根据关于目标晶粒的布局的图形数据系统信息，得到半导体晶圆的第一原始影像、第二原始影像与第三原始影像。通过判定电路，对第一原始影像、第二原始影像与第三原始影像执行基于影像的第一比较，以便提供比较结果。比较结果是指示在第一原始影像、第二原始影像与第三原始影像之间是否存在影像差异。

附图说明

图1示出根据本发明一些实施例所述的待检查的半导体晶圆；

图2示出根据本发明一些实施例所述的诊断图1的半导体晶圆的方法的简化流程图；

图3示出根据本发明一些实施例所述的欲检查的半导体晶圆；

图4A至图4C示出根据本发明一些实施例所述的从图1的半导体晶圆的晶粒中所获取的原始影像的各种示意图；

图5示出根据本发明一些实施例所述的待检查的半导体晶圆；

图6示出根据本发明一些实施例所述的对应于图5的半导体晶圆中两区域的目标晶粒的存储器阵列的示意图；

图7A至图7C示出根据本发明一些实施例所述的从图6的存储器阵列中获取原始影像的各种示范例的示意图；

图8示出根据本发明一些实施例所述的用于诊断半导体晶圆的系统；

图9示出根据本发明一些实施例所示出的图8的检查装置的示意图；

图10A示出根据本发明一些实施例所示的图9中由第一影像获取装置所获取的原始影像的示意图；以及

图10B是示出根据本发明一些实施例所示的图9中由第二影像获取装置所获取的原始影像的示意图。

附图标记说明：

100、100A、100B～半导体晶圆；

110、110a-110f～晶粒；

115～切割道；

120a-120f、130a、130b、140a-140c～区域；

122_1-122_3、142_1-142_3～间隔；

132、132a-132c～存储器单元；

135～存储器阵列；

144_1-144_3～轮廓；

200～系统；

210～处理电路；

220～判定电路；

230～检查装置；

232～平台；