[发明专利]高速处理闪存的方法及基于该方法的设备和可读存储介质有效
申请号: | 201811268116.8 | 申请日: | 2018-10-29 |
公开(公告)号: | CN109597570B | 公开(公告)日: | 2022-03-25 |
发明(设计)人: | 吕盼稂;卢小银 | 申请(专利权)人: | 合肥富煌君达高科信息技术有限公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06 |
代理公司: | 合肥维可专利代理事务所(普通合伙) 34135 | 代理人: | 吴明华 |
地址: | 230088 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高速 处理 闪存 方法 基于 设备 可读 存储 介质 | ||
本发明公开了一种Flash的格式化和初始化方法,属于计算机领域,包括:Flash的扫描坏块,从闪存的EEPROM表中读取当前坏块表;判断是否有坏块,若是坏块,将该坏块写入坏块列表中,并将该坏块从扇区中剔除;若不是坏块;保留在扇区中;更新坏块映射表,在内存条的EEPROM中建立更新后的初始化坏块表;更新初始化坏块映射表后,建立逻辑块/物理块映射表;在EEPROM中记录逻辑块使用情况;在EEPROM中建立视频片段表。本发明示例的技术方案,可以在Flash的格式化过程当中实现一边擦除一边写入的操作,大大提高了Flash格式化的工作效率。
技术领域
本发明属于计算机领域,具体而言是一种高速处理闪存的方法及基于该方法的设备和可读存储介质。
背景技术
自从闪存技术问世以来,一直以低耗能、非易失性、耐震、高储存密度等迷人的特性,在许多可移植性装置中,渐渐取代可擦除可编程只读存储器(EEPROM)或电池供电的存储器,如今更是由于当前半导体技术日益精进,闪存的储存密度与传输速度更是有突飞猛进的成长,因此闪存在许多应用方面,更可以取代硬式磁盘驱动器等传统储存媒体。
但是由于科技的进步,闪存的市场需求容量在不断增大,故而使之执行格式化需要处理的区段与分页随之增加,进而使执行格式化所需的时间加长,而在厂商未增加其生产设备的情况下,则会因格式化的时间增长而降低产能,进而使生产成本上升而转嫁至消费者,让消费者无法以优惠的价格换取高品质的商品。
由此,如何改善闪存格式化的执行效率,即为从事此行业的相关厂商所亟欲研究改善的方向所在。故而,鉴于目前环境存在的可观问题和因素,于是搜集相关资料,经由多方评估及考量,并以从事于此行业累积的多年经验,经由不断试作及修改,始设计出此种格式化的方法。
发明内容
为了解决上述现有技术中的不足,本发明的目的在于提供一种高速处理闪存的方法及基于该方法的设备和可读存储介质,在数据过程中执行擦除块的同时进行写操作,进行并行运算,填补了目前Flash格式化和初始化操作的一项空白,大大提高了Flash在格式化和初始化过程的工作效率,有效缩短时间。
为了解决上述技术问题,本发明采用如下技术方案:
一种高速处理闪存的方法,包括初始化闪存信息表,具体包括如下步骤:
(11)扫描坏块:从闪存的EEPROM表中读取当前坏块表;
(12)判断是否有坏块,若是坏块,将该坏块写入坏块列表中,并将该快块从扇区中剔除;若不是坏块;保留在扇区中;
(13)更新坏块映射表,在内存条的EEPROM中建立更新后的初始化坏块表;
(14)更新初始化坏块映射表后,建立逻辑块/物理块映射表;
(15)在EEPROM中记录逻辑块使用情况;
(16)在EEPROM中建立视频片段表。
作为上述方案的进一步优化,包括如下步骤:
(21)读取初始化闪存信息表,所述闪存信息包括闪存类型和擦除块大小;
(22)读写与擦除处理过程,具体方法为:按块擦,写当前擦:
(a)个片选CE,i≥1;
(b)每一个片选CE,包括j个页面Page,j=1,2,3,....512;
(c)在读写过程中,CE1开始执行擦除块命令,除CE1以外的所有CEi(i≠1)同时进行写Pagej,且写Pagej,从j=1递增写入;
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