[发明专利]存储器模块、存储器系统和操作存储器模块的方法

说明书

公开了存储器模块、存储器系统和操作存储器模块的方法。一种存储器模块包括与同一模块板相关联的多个半导体存储器装置。所述多个半导体存储器装置被配置为同时执行训练操作，所述多个半导体存储器装置包括：接收接口电路，被配置为：基于来自存储器控制器的训练模式，执行训练操作来搜索均衡器的所选择的系数；响应于来自存储器控制器的训练命令，在训练状态下将训练信息信号发送到存储器控制器，训练信息信号包括所选择的均衡系数。

本申请要求于2017年12月12日提交到韩国知识产权局的第10-2017-0170033号韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。

技术领域

示例实施例涉及一种存储器装置。例如，至少一些示例实施例涉及存储器模块、存储器系统和/或操作存储器模块的方法。

背景技术

半导体存储器可以是使用诸如硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等半导体实现的存储器装置。半导体存储器装置通常被划分为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。

易失性存储器装置是指当电源关闭时存储的数据丢失的存储器装置。另一方面，非易失性存储器装置是指当电源关闭时保留存储的数据的存储器装置。因为作为一种易失性存储器装置的动态随机存取存储器(DRAM)具有高访问速度，所以DRAM被广泛用作计算系统的工作存储器、缓冲存储器、主存储器等。随着计算技术的发展，对作为计算系统的工作存储器的DRAM的需求正在增加。因为DRAM存储器单元通常包括电容器和晶体管，所以难以减小小于一定水平的单元尺寸。因此，难以在有限的区域内实现高容量DRAM。

为了实现高容量，以存储器模块的形式设置多个DRAM。可对多个DRAM顺序地执行训练操作，以基于训练操作的结果来设置DRAM适当地操作。

发明内容

根据示例实施例，一种存储器模块，包括与同一模板块相关联的多个半导体存储器装置，所述多个半导体存储器装置被配置为同时执行训练操作，所述多个半导体存储器装置包括：接收接口电路，被配置为：基于来自存储器控制器的训练模式，执行所述训练操作来搜索均衡器的所选择的均衡系数；响应于来自存储器控制器的训练命令，在训练状态下将训练信息信号发送到存储器控制器，训练信息信号包括所选择的均衡系数。

所述多个半导体存储器装置被配置为：以所述多个半导体存储器装置的排为单元同时执行所述训练操作。

接收接口电路包括：均衡器，被配置为：在训练状态下通过基于控制均衡系数对训练模式进行均衡来生成均衡器输出模式；自训练电路，被配置为：向均衡器提供控制均衡系数，自训练电路被配置为生成指示均衡器输出模式与参考模式之间的差的错误计数值，基于错误计数值和参考值自适应地调节搜索均衡系数以向均衡器提供控制均衡系数，其中，均衡器利用搜索均衡系数来搜索选择的均衡系数。

均衡器包括连续时间线性均衡器、前馈均衡器和判决反馈均衡器中的至少一个。

均衡器包括连续时间线性均衡器和连接到连续时间线性均衡器的前馈均衡器。

自训练电路被配置为：将参考模式存储在与自训练电路相关联的寄存器中，基于均衡器输出模式和参考模式生成比较信号，响应于比较信号输出错误计数值。

自训练电路被配置为：响应于训练模式，经由复制路径输出参考模式，复制路径复制提供均衡器输出模式的路径，同时复制路径独立于外部影响，基于均衡器输出模式和参考模式生成比较信号，响应于比较信号输出错误计数值。

自训练电路被配置为：基于错误计数值和参考值输出自适应系数控制信号，响应于自适应系数控制信号，向均衡器提供搜索均衡系数作为控制均衡系数，使得自适应系数控制信号命令与自训练电路相关联的控制器减小错误计数值与参考值之间的差，响应于错误计数值与参考值之间的差达到下阈值，输出搜索到的均衡系数作为选择的均衡系数。