[发明专利]一种AlN纳米线的制备方法

权利要求书

1.一种AlN纳米线的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤1、混料：将Ti粉、Al粉、C粉和辅助剂进行混合，其中，Ti粉的摩尔百分含量为50％～60％，Al粉的摩尔百分含量为25％～30％，C粉的摩尔百分含量为10％～25％，所述辅助剂采用B₂O₃；

步骤2、研磨：在球磨罐中加入研磨球，将步骤1所得的原料放入球磨罐中，在球磨罐中倒入酒精直至将原料完全盖住，把球磨罐放入球磨机中进行固定，湿磨8h～12h；

步骤3、烘干：将研磨后的球磨罐中的物质在水浴环境下进行烘干，烘干温度为50℃～60℃，烘干时间为12h～18h；

步骤4、过筛：将步骤3中烘干后的物质倒入筛子中进行过筛，以将研磨球与原料进行分离；

步骤5、烧结与取料：将步骤4所得的原料置于容器中，将该容器置于炉中在氮气环境下进行烧结，烧结温度达到1300℃或以上时，保持该温度1h，通过气相沉积的方法使AlN在螺位错界面上的露头点所形成的台阶上生长，从而得到AlN纳米线。

2.根据权利要求1所述的AlN纳米线的制备方法，其特征在于：在所述步骤2中，采用两个或者四个球磨罐，每个球磨罐中放入等量的研磨球，将步骤1所得的原料平均的放入球磨罐中，将球磨罐放入球磨机中进行固定，各球磨罐沿对角线放置在球磨机中。

3.根据权利要求1所述的AlN纳米线的制备方法，其特征在于：在所述步骤3中，采用水浴锅进行烘干。

4.根据权利要求1所述的AlN纳米线的制备方法，其特征在于：在所述步骤5中，所述容器采用刚玉舟。

5.根据权利要求1所述的AlN纳米线的制备方法，其特征在于：在所述步骤5中，采用真空管式炉或可控气氛真空电子炉。